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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明属于半导体器件领域，具体提供一种InP高电子迁移率晶体管基于碰撞电离效应的拟合噪声模型，其噪声网络包括：栅极寄生热噪声电压源漏极寄生热噪声电压源源极寄生热噪声电压源栅极散粒噪声电压源漏极沟道热噪声漏极碰撞电离噪声电流源本发明将栅极噪声电流简化为一个不随频率变化的白噪声，表征了栅极漏电流产生的散粒噪声，设置漏极噪声电流源为白噪声与洛伦兹形噪声的叠加，对沟道热噪声、碰撞电离产生的噪声进行表征，可对NFmin和Rn随频率增大而减小的趋势进行拟合，在保证精度的前提下得到简单有效的噪声模型。
主权项：1.一种InP高电子迁移率晶体管基于碰撞电离效应的拟合噪声模型，包括：寄生网络、本征网络与噪声网络，其特征在于，噪声网络包括：栅极寄生热噪声电压源漏极寄生热噪声电压源源极寄生热噪声电压源栅极散粒噪声电压源漏极沟道热噪声漏极碰撞电离噪声电流源栅极寄生热噪声电压源连接在栅极寄生电阻Rg与栅极内节点G’之间，漏极寄生热噪声电压源连接在漏极寄生电阻Rd与漏极内节点D’之间，源极寄生热噪声电压源连接在源极寄生电阻Rs与源极内节点S’之间，栅极散粒噪声电压源连接在本征栅源并联电阻Rgs与栅极内节点G’之间，漏极沟道热噪声连接在本征源漏电导Gds与源极内节点S’之间，漏极碰撞电离噪声电流源连接在栅极内节点G’与源极内节点S’之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 InP高电子迁移率晶体管基于碰撞电离效应的拟合噪声模型
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