龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：本申请提供一种InP基DHBT材料结构的制备方法，包括：采用金属有机化学气相沉积MOCVD工艺在衬底上依次生长高掺N型InGaAs集电区接触层、低掺N型InP集电区层、低掺N型InGaAsP能带渐变层、高掺P型InGaAs基区层、低掺N型InP退火覆盖层；采用常压原位退火工艺对低掺N型InP退火覆盖层进行退火处理；在设定生长条件下，在低掺N型InP退火覆盖层上依次生长低掺N型InP发射区层和高掺N型InGaAs发射区接触层；其中，设定生长条件对应的温度小于或等于退火处理过程对应的温度；设定生长条件对应的生长速度大于其余各层的生长速度。本申请在基区和发射区之间设置退火覆盖层，进行常压原位退火处理，并优化退火覆盖层后续层生长条件，有效提高了基区掺C的激活率。
主权项：1.一种InP基DHBT材料结构的制备方法，其特征在于，包括：采用金属有机化学气相沉积MOCVD工艺在衬底上依次生长高掺N型InGaAs集电区接触层、低掺N型InP集电区层、低掺N型InGaAsP能带渐变层、高掺P型InGaAs基区层、低掺N型InP退火覆盖层；采用常压原位退火工艺对所述低掺N型InP退火覆盖层进行退火处理；在设定生长条件下，在所述低掺N型InP退火覆盖层上依次生长低掺N型InP发射区层和高掺N型InGaAs发射区接触层；其中，所述设定生长条件对应的温度小于或等于所述退火处理过程对应的温度；所述设定生长条件对应的生长速度大于所述低掺N型InP发射区层和所述高掺N型InGaAs发射区接触层之外各层的生长速度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种InP基DHBT材料结构的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号