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申请/专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种隧穿结层、LED外延结构及其制备方法，其中隧穿结层从下至上依次包括p型掺杂层、过渡层、n型掺杂层以及保护层，保护层的掺杂浓度低于n型掺杂层的掺杂浓度，且保护层的Al组分低于第一n型限制层的Al组分，第一n型限制层位于保护层上。本发明通过保护层的设置可以有效的保证晶体质量更高，还可以阻止n型掺杂层中的掺杂原子Te在表面的聚集，提升了隧穿结的界面平整度，同时还能够抑制n型掺杂层中的掺杂原子Te向表面的扩散，提升隧穿结的载流子隧穿几率。
主权项：1.一种隧穿结层，其特征在于，从下至上依次包括p型掺杂层、过渡层、n型掺杂层以及保护层，所述保护层的掺杂浓度低于所述n型掺杂层的掺杂浓度，且所述保护层的Al组分低于第一n型限制层的Al组分，所述第一n型限制层位于所述保护层上。
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权利要求：
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