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申请/专利权人：浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司
摘要：本发明公开高擦写速度和可靠性的电荷俘获型存储器及其制造方法，本发明是在硅衬底上制备隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备一层常规的氮化硅层；在常规氮化硅层上制备一层富硅氮化硅层；在富硅氮化硅层上制备一层硅氧氮层；在硅氧氮层上制备阻挡氧化层；最后生长多晶硅栅层。本发明通过设计一种新的SONOS结构，对传统的单层氮化硅陷阱层改进为三层式陷阱层，在氮化硅陷阱层中间增加浅能级陷阱数量，有利于在编程过程中俘获电荷，增大存储窗口、编程速度；同时对靠近阻挡氧化层部分的陷阱层进行改进，增加深能级陷阱数量，避免电荷隧穿而进入栅电极，有利于增大存储窗口和可靠性。
主权项：1.一种高擦写速度和可靠性的电荷俘获型存储器，其特征在于从下至上依次包括硅衬底、隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、富硅氮化硅陷阱层、硅氧氮陷阱层、阻挡氧化层和多晶硅栅极；所述富硅氮化硅陷阱层的陷阱能级比氮化硅陷阱层浅，所述硅氧氮陷阱层的陷阱能级比氮化硅陷阱层的陷阱能级深。
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权利要求：
百度查询： 浙江大学 浙江创芯集成电路有限公司 高擦写速度和可靠性的电荷俘获型存储器及其制造方法
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