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申请/专利权人：瑶芯微电子科技(上海)有限公司
摘要：本发明提供一种结型场效应管控制型RC‑IGBT器件及其制备方法，器件包括：依次层叠的金属集电极、集电区、N型漂移区、P阱、N型载流子阻挡层、P型基区、N型发射区和金属发射极；主控制栅极结构，自P型基区延伸至N型漂移区中；发射栅极结构，自P型基区延伸至N型漂移区中；副控制栅极结构，包括自P型基区延伸至N型载流子阻挡层中的栅介质层和P型JFET栅电极；N型沟道区，设置于相邻两P型JFET栅电极之间，N型沟道区连接N型载流子阻挡层与金属发射极。本发明通过在二极管中引入结型场效应晶体管JFET以在保持IGBT特性的同时优化二极管性能，有效地减少了二极管工作期间的空穴注入，而不会导致任何IGBT特性的降低。
主权项：1.一种结型场效应管控制型RC-IGBT器件，其特征在于，所述RC-IGBT器件包括：金属集电极；集电区，包括并列排布于所述金属集电极上的P型集电区和N型集电区；N型漂移区，位于所述集电区上；P阱，位于所述N型漂移区上；N型载流子阻挡层，位于所述P阱上；P型基区，位于所述N型载流子阻挡层上；N型发射区，设置于所述P型基区中；金属发射极，设置于所述P型基区上且与所述N型发射区连接；主控制栅极结构，所述主控制栅极结构自所述P型基区延伸至所述N型漂移区中，所述N型发射区设置于所述主控制栅极结构的侧面；发射栅极结构，所述发射栅极结构自所述P型基区延伸至所述N型漂移区中；副控制栅极结构，所述副控制栅极结构包括自所述P型基区延伸至所述N型载流子阻挡层中的栅介质层和P型JFET栅电极，所述栅介质层显露所述P型JFET栅电极的一侧；N型沟道区，所述N型沟道区的两侧与相邻两P型JFET栅电极显露的一侧相接，两端连接所述N型载流子阻挡层与所述金属发射极；所述主控制栅极结构与器件的主栅极驱动相连接，所述发射栅极结构与器件的金属发射极相连接，所述副控制栅极结构与器件的副栅极驱动相连接。
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权利要求：
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