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申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司
摘要：本发明涉及抑制离子注入沟道效应技术领域，具体公开了一种预非晶化抑制离子注入沟道效应的方法，包括以下步骤：准备SiC衬底、获取所需的外延片、注入惰性气体Ar离子、高温离子注入机向外延层进行3次Al离子、冲洗和甩干等步骤，本发明通过形成预非晶化层，能够使得掺杂离子注入过程中减小晶格损伤，有效抑制离子注入过程中的沟道效应，并且氩离子的质量较大，能量较低，可以在较浅的深度处形成非晶结构，其对材料晶体结构的伤害较小，氩离子预非晶化与现有离子注入工艺流程兼容，不需要引入额外的设备或工艺步骤，具有工艺简化、晶格损伤小等优点。
主权项：1.一种预非晶化抑制离子注入沟道效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：准备SiC衬底，通过MOCVD外延生长形成SiC外延层，外延层为20um的N型掺杂，掺杂浓度为5E15；步骤2：获取所需的外延片，采用RCA标准清洗法对所述外延片进行湿法清洗、干燥；步骤3：在外延层一面先注入剂量为4E14的惰性气体Ar离子，注入能量为30keV，通过晶格碰撞促使外延层的表面实现预设50nm范围的非晶化层，随后外延片采用高温离子注入机向外延层进行3次Al离子注入，1、注入剂量为5E14，能量为170keV；2、剂量为2E14，能量为120keV；3、剂量为1E14，能量为80keV；，非晶化层的厚度通过TRIM仿真软件进行模拟确定，注入温度为500℃，注入倾斜角为0°；步骤4：将注入完成的外延片进行冲洗、甩干，去除外延层表面残留的杂质颗粒与脏污，随后通过碳膜溅射机台生长80nm的碳膜后，采用高温激活炉进行激活退火，激活时间为30min，温度为1700℃，随后通过管式炉在N2环境下去除碳膜，获得所需的外延片。
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权利要求：
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