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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域；深沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底中包围所述第一区域；第一掺杂区，位于所述第一区域与所述深沟槽隔离结构邻接的位置；位于所述第一掺杂区包围的第一区域中的阱区、位于所述阱区中的光电二极管和包围所述阱区的第二掺杂区；电阻层，位于所述第二掺杂区上。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，利用深沟槽隔离结构的纵向空间形成电容结构，可以提高芯片面积利用率；猝灭用的电阻层设置于作为保护环的第二掺杂区上，可以降低暗计数，提高器件性能和器件可靠性。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域；在所述半导体衬底中形成包围所述第一区域的深沟槽隔离结构；在所述第一区域与所述深沟槽隔离结构邻接的位置形成第一掺杂区；在所述第一掺杂区包围的第一区域中形成阱区、位于所述阱区中的光电二极管和包围所述阱区的第二掺杂区；在所述第二掺杂区上形成电阻层。
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权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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