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衬底处理方法 

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申请/专利权人:ASMIP私人控股有限公司

摘要:提供了一种用于填充间隙结构而不改变薄膜特性且不产生空隙和孔隙的衬底处理方法,该衬底处理方法包括:第一操作,通过在包括间隙的结构上供应沉积抑制气体来在该结构上形成沉积抑制区域;第二操作,在间隙结构上形成薄膜;以及第三操作,通过使用在薄膜形成期间使用的至少一种气体来去除沉积抑制区域中的沉积抑制气体。

主权项:1.一种衬底处理方法,包括:在反应室中提供包括间隙的晶片;在反应室中提供沉积抑制气体,随后吹扫反应室中的沉积抑制气体,以在间隙的顶部中提供沉积抑制区域;在反应室中提供源气体和反应气体,供应射频RF功率,并吹扫残留气体以在间隙中沉积层;以及在反应室中提供没有实质反应气体的源气体,供应射频RF功率,并吹扫残留物以至少部分地去除沉积抑制区域。

全文数据:

权利要求:

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