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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供了一种电容器及其制造方法，第一导电层位于第一介质层上并且暴露出第二介质层，第一导电层表面高于第二介质层表面，第三介质层保形覆盖第一导电层和第二介质层，即第三介质层的表面呈凹凸状，从而提高了第三介质层的面积，由此提高了所述第一导电层、所述第三介质层以及第二导电层形成的电容器的电容量。进一步的，第一沟槽中填充所述第二介质层，所述第二介质层增加了研磨工艺的冗余量，由此使得所述第一导电层在形成过程中更耐CMP（化学机械研磨）工艺，即增加了所述第一导电层的工艺窗口，从而能够形成厚度更厚的所述第一导电层，以保护所述第一介质层，防止金属扩散至所述第一介质层中，相应的，可以提高电容器的耐击穿能力。
主权项：1.一种电容器，其特征在于，所述电容器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有至少一个第一沟槽；位于所述半导体衬底上的第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体衬底表面以及所述第一沟槽表面；填充所述第一沟槽的第二介质层；位于所述第一介质层上的第一导电层，所述第一导电层暴露出所述第二介质层，并且所述第一导电层表面高于所述第二介质层表面；保形覆盖所述第一导电层和所述第二介质层的第三介质层；以及，位于所述第三介质层上的第二导电层。
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百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 电容器及其制造方法
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