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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：提供了一种在写入辅助时段期间具有降低的功率消耗的SRAM存储器，该SRAM存储器包括一系列反相器，该一系列反相器被配置为延迟写入辅助信号以在升压电容器的第一端子处形成延迟的写入辅助信号。切断开关晶体管耦合在地与该一系列反相器中的末级反相器的接地节点之间。时钟电路在写入辅助时段结束之前关断该切断开关晶体管以隔离该升压电容器的该第一端子。
主权项：1.一种存储器，所述存储器包括：写入驱动器，所述写入驱动器具有写入驱动器接地节点；写入辅助电路，所述写入辅助电路包括：具有第一端子和第二端子的升压电容器，其中所述第二端子耦合到所述写入驱动器接地节点；延迟电路，所述延迟电路包括一系列反相器，所述一系列反相器被配置为延迟写入辅助信号以在所述升压电容器的所述第一端子处形成延迟的写入辅助信号；和第一开关晶体管，所述第一开关晶体管耦合在地与所述一系列反相器中的末级反相器的接地节点之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 具有降低的开关功率的存储器写入辅助
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