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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种内部均流的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀、离子注入，形成缓冲区、阱区、N型源区以及P型源区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，进行金属淀积，形成源极金属层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层、漂移层以及阱区，形成通孔以及凹槽，之后进行淀积，形成栅介质层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及栅介质层，形成通孔以及沟槽，对沟槽进行金属淀积，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制备，使得整体导通电阻更低，热分布更加均匀。
主权项：1.一种内部均流的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成缓冲区；步骤3、去除原阻挡层，对漂移层进行离子注入，形成阱区；步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，对阱区进行离子注入，形成N型源区；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，对阱区进行离子注入，形成P型源区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，进行金属淀积，形成源极金属层；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层、漂移层以及阱区，形成通孔以及凹槽，之后进行淀积，形成栅介质层；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及栅介质层，形成通孔以及沟槽，对沟槽进行金属淀积，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制备。
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