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申请/专利权人：杭州华芯微科技有限公司
摘要：本实用新型涉及一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，包括VDMOS器、防护壳、抗震层和L形防护盖，防护壳的内部装设有对位组件，对位组件包括升降板、棱锥形对位筒和复位弹簧，升降板的顶部开设有对位孔，棱锥形对位筒固定安装于升降板的底部，防护壳内壁的两侧均开设有限位槽，升降板滑动安装于防护壳的内部，复位弹簧的一端固定安装于升降板顶部的一侧，且复位弹簧的另一端固定安装于限位槽内壁的顶部，通过设置的棱锥形对位筒将VDMOS器的引脚牵引滑入棱锥形对位筒底部开口中，此时引脚和穿孔以及防护套一一对应，有助于提高引脚和穿孔以及防护套对位的效率，从而帮助提高VDMOS器和防护壳之间的安装效率。
主权项：1.一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，包括VDMOS器1、防护壳2、抗震层3和L形防护盖4，所述防护壳2的内部装设有对位组件5，所述对位组件5包括升降板501、棱锥形对位筒502和复位弹簧503，所述升降板501的顶部开设有对位孔504，所述棱锥形对位筒502固定安装于所述升降板501的底部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州华芯微科技有限公司 一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构
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