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申请/专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院

摘要：本发明公开一种基于SiGe材料的SJ‑VDMOS及其制备方法，该集成式器件包括源极，栅绝缘层，半绝缘多晶硅层，栅电极，绝缘体，漏电极，衬底漏区，外延层N型漂移区，外延层P型漂移区，基区，沟道衬底接触，源区。通过在外延层P型漂移区中引入锗硅材料，利用锗原子在硅晶格中产生的内部应力来优化电子的迁移率。使得该场效应管控制电流导通的效率更高能耗更低。由于引入的锗硅扩展了器件的工作温度范围，提高了热导率，可适用于高功率、高温工作环境。本发明的制备工艺由于场效应管引入的锗硅材料可以利用现有的硅基工艺平台制备，硅锗技术与现有的集成电路工艺兼容性良好，在不改变现有生产线的情况下，实现技术的升级和转换。

主权项：1.一种基于SiGe材料的SJ-VDMOS，包括：源电极1、栅绝缘层2、半绝缘多晶硅层3、栅电极4、绝缘体5、漏电极6、衬底漏区7、外延层N型漂移区8、外延层P型漂移区9、基区10、沟道衬底接触11、源区12、栅极13；所述源极1、栅绝缘层2、半绝缘多晶硅层3、外延层N型漂移区8、外延层P型漂移区9、基区10、沟道衬底接触11、源区12均不被整体器件中心轴穿过且关于该中心轴对称设置，栅电极4、绝缘体5、漏电极6、衬底漏区7、栅极13均被整体器件中心轴穿过且关于该中心轴对称；在所述绝缘体5的正上方依次有栅极13、栅电极4；所述半绝缘多晶硅层3、栅绝缘层2由内到外分布在绝缘体5两侧；所述外延层N型漂移区8、外延层P型漂移区9由内到外依次分布在栅绝缘层2两侧；所述基区10在外延层P型漂移区9正上方；所述沟道衬底接触11在外延层P型漂移区9外上方；所述源区12在外延层P型漂移区9内上方；所述沟道衬底接触11和源区12位于同一高度；所述源电极1位于沟道衬底接触11正上方；所述衬底漏区7在绝缘体5的正下方，位于整体器件底部；所述漏电极6在衬底漏区7正下方；其特征在于：所述外延层P型漂移区9采用通式为Si1-xGex的IV族合金材料，其中x表示SiGe中Ge的组份，Ge组份的取值范围为0.5x0.66。

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