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一种带源极屏蔽结构的碳化硅VDMOS的制备方法 

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申请/专利权人:泰科天润半导体科技(北京)有限公司

摘要:本发明提供了一种带源极屏蔽结构的碳化硅VDMOS的制备方法,包括:在碳化硅衬底下侧面形成漏极金属层,在碳化硅衬底上侧面淀积生长形成漂移层;在漂移层上方离子注入形成阱区;离子注入,形成源区;淀积金属,形成源极金属层;刻蚀后进行干氧氧化,形成第一绝缘介质区,绝缘介质层包括第一绝缘介质区以及第二绝缘介质区;刻蚀形成通孔;淀积金属,形成源极屏蔽层,所述源极屏蔽层电连接至所述源极金属层;刻蚀、干氧氧化,形成第二绝缘介质区;淀积金属,形成栅极金属层,去除阻挡层,完成制造,源极屏蔽层将栅极金属层到漂移层的电容效应降低,进而有效降低了栅漏弥勒电容,降低器件的栅电荷,从而提高器件开关速度,降低器件驱动损耗。

主权项:1.一种带源极屏蔽结构的碳化硅VDMOS的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属,形成漏极金属层,在碳化硅衬底上侧面淀积生长形成漂移层;步骤2、在漂移层上方离子注入形成阱区;步骤3、形成阻挡层,刻蚀形成通孔,对通孔进行离子注入,形成源区;步骤4、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀形成金属淀积区域,淀积金属,形成源极金属层;步骤5、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层、阱区以及漂移层,形成通孔以及凹槽,刻蚀后进行干氧氧化,形成第一绝缘介质区,绝缘介质层包括第一绝缘介质区以及第二绝缘介质区;步骤6、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层以及第一绝缘介质区形成通孔;步骤7、淀积金属,形成源极屏蔽层,所述源极屏蔽层电连接至所述源极金属层;步骤8、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层、第一绝缘介质区以及源极屏蔽层,形成通孔;步骤9、刻蚀后进行干氧氧化,形成第二绝缘介质区;步骤10、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层以及第二绝缘介质区,形成通孔以及沟槽,在沟槽上淀积金属,形成栅极金属层,去除阻挡层,完成制造。

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