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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及半导体制备技术领域，尤其是涉及一种三维结构保形性硼掺杂方法及其应用，去除硅基三维衬底表面自然氧化层；在硅基三维衬底表面形成辅助层；在氧化铝辅助层上形成氧化硼薄膜；在氧化硼薄膜表面覆盖钝化层；利用激光或快速退火将含氧化硼的硼杂质穿过辅助层推进到硅基底中，以对硅基衬底进行掺杂。一方面通过筛选合适的硼源前驱体和氧化剂，解决了氧化硼存在的形核难、一定厚度后不能成膜的问题，另一方面选择氧化铝作为钝化层，可保护氧化硼薄膜不受损，进而在激光或快速退火过程中能够实现无损伤扩散掺杂。本发明不仅解决了等离子体增强ALD在三维结构沉积上存在阴影效应不能实现保形沉积的问题，而且消除了等离子体对器件的损伤等问题。
主权项：1.一种三维结构保形性硼掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、去除硅基三维衬底表面氧化层；S2、在硅基三维衬底表面形成氧化铝辅助层；S3、在氧化铝辅助层远离硅基三维衬底一侧的表面形成氧化硼薄膜；S4、在氧化硼薄膜远离氧化铝辅助层一侧的表面覆盖氧化铝钝化层；S5、利用激光或快速退火将含氧化硼的硼杂质穿过辅助层推进到硅基三维衬底中，以对硅基三维衬底进行掺杂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 中国科学院微电子研究所 一种三维结构保形性硼掺杂方法及其应用
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