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申请/专利权人：恩特格里斯公司
摘要：本发明提供一种包含用无氧钌前体进行选择性钌晶种层沉积、接着大量沉积含金属前体、如含钨、钼、钴、钌和或铜前体的方法。所述钌晶种层沉积对于微电子装置衬底的导电部分具有高度选择性，同时最大限度地减少沉积至所述微电子装置衬底的绝缘表面上。在某些实施例中，所述衬底的所述导电部分选自氮化钛、氮化钨、氮化钽、钨、钴、钼、铝和铜。
主权项：1.一种将含金属膜沉积至微电子装置衬底上的方法，其中所述金属选自钨、钼、钴、钌和铜，并且其中所述衬底选自氮化钛、氮化钨、氮化钽、氮化铌、钨、钼、钴和铜，所述方法包含：a.在还原气体存在下和在气相沉积条件下，将无氧钌前体材料引入至含有所述衬底的反应区中，直至所述含钌膜的厚度为约3至约接着b.在气相沉积条件下，将含钨、钼、钴、钌或铜金属前体引入至所述反应区中，直至已获得具有所需厚度的含钨、钼、钴、钌或铜金属膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恩特格里斯公司 选择性沉积高导电性金属膜的方法
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