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读操作电路、半导体存储器和读操作方法 

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申请/专利权人:长鑫存储技术(上海)有限公司

摘要:本申请实施例至少提供一种读操作电路,包括:数据判断模块,从存储块中读出读取数据,并根据读取数据中为低的数据的位数,确定是否翻转读取数据,以输出供全局总线传输的全局总线数据和供翻转标识信号线传输的翻转标识数据;数据接收模块,根据翻转标识数据,确定是否翻转全局总线数据,以输出缓存数据;并串转换电路,对缓存数据进行并串转换,以生成DQ端口的输出数据;预充电模块,将全局总线的初始态设置为高。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharg上拉架构的全局总线上传输“1”的数据较多,从而可以减少内部全局总线翻转次数,大幅压缩电流,降低功耗。

主权项:1.一种读操作电路,应用于半导体存储器,其特征在于,所述半导体存储器包括DQ端口和存储块,所述读操作电路包括:数据判断模块,连接于所述存储块,用于从所述存储块中读出读取数据,并根据所述读取数据中为低的数据的位数,确定是否翻转所述读取数据,以输出供全局总线传输的全局总线数据和供翻转标识信号线传输的翻转标识数据;数据接收模块,与所述全局总线和所述翻转标识信号线连接,用于根据所述翻转标识数据,确定是否翻转所述全局总线数据,以输出缓存数据;并串转换电路,连接于所述数据接收模块和所述DQ端口之间,用于对所述缓存数据进行并串转换,以生成所述DQ端口的输出数据;数据缓冲模块,通过所述全局总线连接于所述存储块;预充电模块,连接于预充电信号线,用于将所述全局总线的初始态设置为高;所述数据判断模块用于在所述读取数据中为低的数据的位数大于预设值的情况下,将所述读取数据的翻转数据作为所述全局总线数据输出,并将所述翻转标识数据置为高;以及在所述读取数据中为低的数据的位数小于等于所述预设值的情况下,将原始的读取数据作为所述全局总线数据输出,并将所述翻转标识数据置为低;所述数据接收模块用于在所述翻转标识数据为高的情况下,将所述全局总线数据的翻转数据作为所述缓存数据输出;以及在所述翻转标识数据为低的情况下,将原始的全局总线数据作为所述缓存数据输出。

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权利要求:

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