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申请/专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
摘要：本申请提供了一种材料结构及其制作方法，材料结构包括：基底与位于基底上的掩膜层；掩膜层具有暴露基底的窗口，窗口包括开口端，开口端在基底所在平面上的正投影的面积小于窗口在基底所在平面上的正投影的面积。根据本发明的实施例，使用具有掩膜层的基底作为外延生长GaN基材料的基底，掩膜层中的开口在自基底朝向开口端方向上具有内收的侧壁，利用窗口的内收侧壁，使得外延生长的GaN基材料的位错终止在窗口的侧壁，无法继续随GaN基材料的生长而延伸。因而，具有上述掩膜层的基底可以降低GaN基材料的位错密度。
主权项：一种材料结构，其特征在于，包括：基底10；掩膜层11，位于所述基底10上；所述掩膜层11具有暴露所述基底10的窗口110，所述窗口110包括开口端110a，所述开口端110a在所述基底10所在平面上的正投影的面积小于所述窗口110在所述基底10所在平面上的正投影的面积。
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权利要求：
百度查询： 苏州晶湛半导体有限公司 材料结构及其制作方法
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