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申请/专利权人：合肥世纪金芯半导体有限公司
摘要：本实用新型提供一种N型碳化硅单晶生长用坩埚，包括：导电头、盖体以及下螺纹槽，所述导电头下端设有感应加热座，所述感应加热座内侧设有保温内层，所述保温内层内侧设有石墨体，所述石墨体内侧下端设有下螺纹槽，所述石墨体内侧上端设有上螺纹槽，所述下螺纹槽内侧设有下螺纹座，所述下螺纹座内侧设有放置腔，与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：通过使用感应加热座，能够对石墨体进行感应加热，通过使用限位挡座与底座，能够对感应加热座保持夹持，从而使石墨体能够完全均匀受热，通过使用上螺纹座以及下螺纹座，能够与石墨体进行快速连接或分离。
主权项：1.一种N型碳化硅单晶生长用坩埚，包括：导电头100、盖体110以及下螺纹槽230，其特征在于：所述导电头100下端设有感应加热座140；所述感应加热座140内侧设有保温内层150，所述保温内层150内侧设有石墨体220，所述石墨体220内侧下端设有下螺纹槽230，所述石墨体220内侧上端设有上螺纹槽190，所述下螺纹槽230内侧设有下螺纹座210，所述下螺纹座210内侧设有放置腔200；所述放置腔200下端设有底座160，所述上螺纹槽190内侧设有上螺纹座180，所述上螺纹座180上端设有限位挡座130，所述限位挡座130上端设有盖体110，所述盖体110左右两侧均设有一组凹槽120，所述盖体110上端设有进气管170。
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百度查询： 合肥世纪金芯半导体有限公司 一种N型碳化硅单晶生长用坩埚
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