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申请/专利权人：高通股份有限公司
摘要：一种器件包括重新分布层RDL基板。该器件还包括在该RDL基板中靠近该RDL基板的第一表面的无源组件。该器件进一步包括耦合到与该RDL基板的该第一表面相对的该RDL基板的第二表面的第一管芯。
主权项：1.一种器件，包括：重新分布层RDL基板；无源组件，所述无源组件在所述RDL基板中靠近所述RDL基板的第一表面；和第一管芯，所述第一管芯耦合到与所述RDL基板的所述第一表面相对的所述RDL基板的第二表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 高通股份有限公司 用于无源和器件集成的双面重新分布层（RDL）基板
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