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申请/专利权人：艾庞半导体科技(四川)有限公司
摘要：本发明公开了一种用于半导体晶片研磨工艺的载体的表面处理方法，属于半导体晶片生产技术领域，包括以下步骤：对金属材料载体的主体表面进行硬质处理；对上述金属材料载体的主体表面进行激光处理；对上述金属材料载体的主体表面进行蚀刻处理，得到用于半导体晶片研磨工艺的载体；所述蚀刻处理包括第一次蚀刻、第二次蚀刻和第三次蚀刻；所述第一次蚀刻的蚀刻液为KOH、NaOH和LiOH中的一种；所述第二次蚀刻的蚀刻液为氟化铵；所述第三次蚀刻的蚀刻液为硝酸。根据本发明，在载体表面实现粗糙度的提升的过程中，不会发生载体产品表面的变形，而且可以形成更均匀的粗糙度。
主权项：1.一种用于半导体晶片研磨工艺的载体的表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：对金属材料载体的主体表面进行硬质处理；S2：对上述金属材料载体的主体表面进行激光处理；S3：对上述金属材料载体的主体表面进行蚀刻处理，得到用于半导体晶片研磨工艺的载体；所述蚀刻处理包括第一次蚀刻、第二次蚀刻和第三次蚀刻；所述第一次蚀刻的蚀刻液为KOH、NaOH和LiOH中的一种；所述第二次蚀刻的蚀刻液为氟化铵；所述第三次蚀刻的蚀刻液为硝酸。
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权利要求：
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