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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：具备沟槽体二极管的碳化硅MOSFET。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层；所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区和PP区一；相邻所述PW区之间设有源级处沟槽，所述源级处沟槽的槽底设有向下延伸的PP区二；所述源级处沟槽的深度大于PW区结深；本实用新型通过在碳化硅MOSFET中形成沟槽体二极管，使得体二极管导通从N型漂移层开始，提高了体二极管的导通能力，并且有效避免了由于电子和空穴的复合现象而导致的晶格缺陷蔓延，从而减小双极退化现象引起的器件性能退化。
主权项：1.具备沟槽体二极管的碳化硅MOSFET，其特征在于，包括从下而上依次设置的碳化硅衬底（1）和碳化硅漂移层（2）；所述碳化硅漂移层（2）的顶面设有若干间隔向下延伸的PW区（3）；所述PW区（3）的顶面设有向下延伸的NP区（4）和PP区一（6a）；相邻所述PW区（3）之间设有源级处沟槽（5），所述源级处沟槽（5）的槽底设有向下延伸的PP区二（6b）；所述源级处沟槽（5）的深度大于PW区（3）结深；所述碳化硅漂移层（2）顶面的端部和中部分别设有从下而上依次设置的栅氧层（7）、Poly层（8）和隔离层（9）；所述隔离层（9）从侧部向下延伸与NP区（4）连接；所述碳化硅漂移层（2）的顶面设有与PP区一（6a）和NP区（4）连接的源级欧姆接触金属（10）；相邻所述隔离层（9）之间设有沉积在源级欧姆接触金属（10）顶面，并经过源级处沟槽（5）的源级肖特基接触金属（11）；所述隔离层（9）的上方设有正面源极金属（12）。
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