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申请/专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
摘要：本发明涉及一种碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用，该碳化硅光电神经突触器件包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极，其中，碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，顶电极不完全覆盖碳化硅半导体材料层。该碳化硅光电神经突触器件在室温至高达600K的温度下均能够表现出优异的突触可塑性。
主权项：1.一种碳化硅光电神经突触器件，其特征在于，包括依次层叠设置的顶电极、碳化硅半导体材料层以及底电极；其中，所述碳化硅半导体材料层中包括有能够捕获和释放载流子的缺陷能级，所述顶电极不完全覆盖所述碳化硅半导体材料层，所述碳化硅半导体材料层选自4H-SiC层，所述缺陷能级包括HK4缺陷，且所述HK4缺陷在所述碳化硅半导体材料层中的浓度大于或等于5×1016cm-3。
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百度查询： 浙江大学杭州国际科创中心 碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用
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