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申请/专利权人：江苏丽隽功率半导体有限公司
摘要：本实用新型公开了一种低寄生电容的SGT器件，涉及功率半导体领域，包括第一导电类型的衬底以及制备于衬底中心区的有源区，所述有源区内包括若干并联成一体的元胞；对任一元胞，在所述元胞的截面上，包括位于衬底上方的盖板、位于衬底内的元胞沟槽、制备于元胞沟槽内的屏蔽栅单元以及与元胞沟槽槽口对应的空气腔；通过空气腔使得所述屏蔽栅单元中的栅极多晶硅露出，且利用所述盖板将空气腔封闭，该SGT器件降低了器件的栅源寄生电容，增加了器件的开关速度。
主权项：1.一种低寄生电容的SGT器件，其特征在于，包括第一导电类型的衬底以及制备于衬底中心区的有源区，所述有源区内包括若干并联成一体的元胞；对任一元胞，在所述元胞的截面上，包括位于衬底上方的盖板、位于衬底内的元胞沟槽、制备于元胞沟槽内的屏蔽栅单元以及与元胞沟槽槽口对应的空气腔；通过空气腔使得所述屏蔽栅单元中的栅极多晶硅露出，且利用所述盖板将空气腔封闭；所述盖板上支撑有金属层，且所述金属层至少包括源极金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏丽隽功率半导体有限公司 一种低寄生电容的SGT器件
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