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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种调节栅源寄生电容的SiCMOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。在SiCMOSFET器件中，通过将器件中隔离栅极和源级的氧化物介质层采用独特的布局，在不影响器件性能和正常使用的前提下加厚了氧化物介质层厚度，降低栅极与源级之间的寄生电容，改善了SiCMOSFET器件的开关特性。
主权项：1.一种调节栅源寄生电容的SiCMOSFET器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在SiCSub层（1）上外延生长一层SiCDrift层（2）；S200，在Drift层（2）的上表面通过离子注入初步形成N-区（3）；S300，在Drift层（2）的上表面通过离子注入初步形成P-body区（4）；S400，在Drift层（2）的上表面通过离子注入初步形成NP区（5）；S500，在Drift层（2）的上表面通过离子注入初步形成PP区（6），之后通过高温激活退火使注入区完全形成；S600，在Drift层（2）的顶面通过干氧氧化方式生长一层栅氧化层（7）；S700，在栅氧化层（7）的顶面通过多晶硅淀积方式形成一层Poly层（8），作为SiCMOSFET器件的栅电极；S800，在Drift层（2）和Poly层（8）的顶面通过氧化物淀积方式形成一层隔离介质层（9），作为SiCMOSFET器件隔离栅电极和源电极的介质；S900，在Drift层（2）的顶面通过金属溅射方式形成一层金属层，之后通过快速热退火形成正面欧姆接触合金层（10）；S1000，在隔离介质层（9）和面欧姆接触合金层（10）的顶面形成一层正面电极金属层（11），作为SiCMOSFET器件的源电极；S1100，在Sub层（1）的底面通过金属溅射方式形成一层金属层，之后通过激光退火形成背面欧姆接触合金层（12）；S1200，在背面接触欧姆合金层（12）的底面通过金属蒸发方式形成一层背面电极金属层（13），作为SiCMOSFET器件的漏电极。
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