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窄光束发散半导体源 

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申请/专利权人:普林斯顿光电子公司

摘要:窄光束发散半导体源可操作以产生具有大体上窄的光束发散、发射波长及大体上均匀的光束强度的光束。延伸长度镜的存在可有助于抑制一个或多个纵向模式和或横向模式,以使得光束发散和或发射的光谱宽度大体上减小。

主权项:1.一种窄光束发散半导体源,其被配置为产生具有窄的光束发散、发射波长及均匀的光束强度的光束,所述窄光束发散半导体源包括:光学谐振腔,其包括具有第一侧及第二侧的第一高反射镜,具有第一侧及第二侧的延伸长度镜,以及有源区域;其中,所述延伸长度镜包括窄频宽镜和第二高反射镜;所述第一高反射镜及所述延伸长度镜设置在所述有源区域的远端侧上,使得所述第一高反射镜的所述第一侧耦合至所述有源区域的第一侧,且所述延伸长度镜的所述第一侧耦合至所述有源区域的第二侧,所述有源区域的所述第二侧与所述有源区域的所述第一侧相对;并且其中所述窄频宽镜位于所述第一高反射镜和所述第二高反射镜之间;以及多个电接点,其被配置为将电流引导至所述有源区域。

全文数据:

权利要求:

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