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申请/专利权人：陕西电子芯业时代科技有限公司
摘要：本实用新型提供一种背面钉状电极的SGTMOSFET结构，包括：主体和晶圆主体，所述主体的背面设置有漏极；衬底，所述衬底设置于所述主体的背面，所述衬底的表面设置有衬底钉状凹孔；源极，所述源极设置于所述主体的正面，半导体，所述半导体设置于所述主体的表面。本实用新型提供的一种背面钉状电极的SGTMOSFET结构，在主体的表面设置带有衬底钉状凹孔的衬底和源极之间配合操作可以在有效降低器件导通电阻的同时，避免因晶圆过薄带来的碎片风险。
主权项：1.一种背面钉状电极的SGTMOSFET结构，其特征在于，包括：主体和晶圆主体，所述主体的背面设置有漏极；衬底，所述衬底设置于所述主体的背面，所述衬底的表面设置有衬底钉状凹孔；源极，所述源极设置于所述主体的正面；半导体，所述半导体设置于所述主体的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 陕西电子芯业时代科技有限公司 一种背面钉状电极的SGT MOSFET结构
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