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申请/专利权人：广东汉岂工业技术研发有限公司

摘要：本发明涉及一种凹陷结构的刻蚀方法，包括步骤S1、对基板进行第一次刻蚀以形成第一刻蚀结构；步骤S2、采用沉积材料在所述第一刻蚀结构的侧壁和底部上形成沉积层；步骤S3、破坏所述第一刻蚀结构的底部的所述沉积层；步骤S4、在所述第一刻蚀结构的底部进行第二次蚀刻以形成所述凹陷结构。本发明还涉及采用该凹陷结构的刻蚀方法所制备的凹陷结构。本发明通过将凹陷结构的刻蚀步骤划分成两个或以上的刻蚀步骤，在每两个刻蚀步骤之间添加沉积步骤，直至达到刻蚀步骤，可以有效保护基板侧壁，从而获得开口小且成品率高的凹陷结构。

主权项：1.一种凹陷结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤S1、对基板进行第一次刻蚀以形成第一刻蚀结构；步骤S2、采用沉积材料在所述第一刻蚀结构的侧壁和底部上形成沉积层；步骤S3、破坏所述第一刻蚀结构的底部的所述沉积层；步骤S4、在所述第一刻蚀结构的底部进行第二次刻蚀以形成所述凹陷结构；所述沉积材料的刻蚀速率低于所述基板的刻蚀速率；所述基板为硅基材料，所述沉积材料为氮化钛、钛、氮化钽、钌、镍、钴；步骤S5、采用衬层材料在所述凹陷结构上形成衬层，并采用通孔材料填充所述凹陷结构并进行抛光处理；其中所述沉积材料与所述衬层材料相同；所述步骤S1进一步包括：步骤S11、根据所述凹陷结构的深度以及设置在所述凹陷结构附近的基板部件确定刻蚀次数和每次刻蚀深度；所述步骤S11进一步包括：步骤S111、判定所述凹陷结构附近是否设置所述基板部件时，如果是，基于所述基板部件的高度、所述凹陷结构的深度和所述衬层的位置确定所述凹陷结构的上部区域、中部区域和下部区域，否则基于所述凹陷结构的深度和所述衬层的位置确定所述凹陷结构的上部区域、中部区域和下部区域；步骤S112、将所述第一次刻蚀的深度设置在所述中部区域且第二次刻蚀的深度设置在所述下部区域；所述沉积层位于所述凹陷结构的所述上部区域中；所述沉积层的厚度与所述衬层的厚度之和大于所述下部区域中所述衬层的厚度；第一次刻蚀的高度选择可基于第一刻蚀结构的顶部，所述第一刻蚀结构的中部，以及第一刻蚀结构的底部来划分上部区域、中部区域和下部区域进行确定；第二次刻蚀的高度选择可基于第一次刻蚀的转折点、第二刻蚀结构的中部以及第二刻蚀结构的底部划分上部区域、中部区域和下部区域进行确定。

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