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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将装有硅片的片盒放置到上料位置，通过机械臂取硅片放置到加工台面进行研磨。第二步：硅片在台面上研磨后，采用刷子A对硅片进行清洁。第三步：采用刷子B清洁一次台面将硅屑清洁一遍。第四步：采用刷子C再清洁一次台面上的硅屑。第五步：通过检测仪器测试损伤硅片，间接的通过硅片厚度形貌图上的损伤点反映出台面上有异物存在并确定异物存在的位置。第六步：通过陶瓷刀片定点刮洗台面的方式清洁掉异物。具有操作便捷、运行稳定性好和效果好的优点。保证异常硅片能够及时检出防止异常硅片的流出，同时有效解决异常出现的原因。
主权项：1.一种测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：将装有硅片的片盒放置到上料位置，通过机械臂取硅片放置到加工台面进行研磨；第二步：硅片在台面上研磨后，采用刷子A对硅片进行清洁；第三步：采用刷子B清洁一次台面将硅屑清洁一遍；第四步：采用刷子C再清洁一次台面上的硅屑；第五步：通过检测仪器测试损伤硅片，间接的通过硅片厚度形貌图上的损伤点反映出台面上有异物存在并确定异物存在的位置；第六步：通过陶瓷刀片定点刮洗台面的方式清洁掉异物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 测试硅片研削后产生的凹陷并去除凹陷产生原因的方法
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