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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本发明公开了一种可基于溅射功率调控RA值原理的隧穿磁电阻的制备方法，涉及隧穿磁电阻领域，内容包括：构建所述隧穿磁电阻底部层级结构，根据RA值需求控制腔室正式片靶材料溅射功率，在完成吸附的腔室中，构建所述底部层级结构之上的非磁性层，在所述非磁性层之上构建顶部层级结构。所述方法通过搭建非磁性层前预先在腔室内部进行离子吸附清洁，优化腔室内部环境中粒子纯净度和真空度，并且通过正式片靶材料溅射功率和隧穿磁电阻的RA值得一一匹配关系，实现对隧穿电阻结构的耐用性和数据读取功能无负向影响的精准调控。
主权项：1.一种基于溅射功率调控RA值原理的隧穿磁电阻的制备方法，其特征在于，所述方法包括：构建所述隧穿磁电阻的底部层级结构；根据RA值需求控制腔室靶材料溅射功率；在完成吸附的腔室中，构建所述底部层级结构之上的非磁性层，其中，选用与非磁性层相同靶材料对腔室内部进行预溅射处理；在所述非磁性层之上构建顶部层级结构，其中，在构建得到的所述非磁性层厚度相同的情况下，正式片溅射功率与所述隧穿磁电阻的RA值具有连续对应关系。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 一种可基于溅射功率调整RA值原理的隧穿磁电阻和磁性随机存储器的制备方法
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