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申请/专利权人：大连理工大学
摘要：本发明属于自旋电子学材料与器件技术领域，提供了异质结、磁性异质结和磁性隧道结单元及其应用。本发明将异质结中插层的材质限定为Pt、Ta、W、Mo、Zr、Cu、V、Hf、Ir、Nb、Cr、Ru、Au、Ag等金属，TiMo、TiPb、NiFe、MoW、NbW等合金，NiO、TiO、VO、WO3、TaO、ZrO2、Al2O3、CuO、Fe2O3、Fe3O4、ZnO、MoO2、MgO等氧化物，MnPS3、NiPS3、FeI2、FePS3等绝缘体材料。本发明优化插层的材质，能够阻止异质结发生界面反应，使异质结在半导体集成后道工艺中可经受350~400℃的高温处理过程，具有更高的热稳定性。
主权项：1.一种异质结，其特征在于，包括层叠设置的自旋源层和插层；所述异质结设置于衬底上；所述衬底和自旋源层或者插层均可接触；所述插层的材质为Pt、Ta、W、Mo、Zr、Cu、V、Hf、Ir、Nb、Cr、Ru、Au、Ag、Fe、Pb、Cd、Ni、Mn、Zn、Sn、Li、Be、Mg、Rh、Pd、In、Sb、Se、Te、Al、TiMo、TiPb、NiFe、MoW、NbW、NiW、FeW、CuW、NiO、TiO、VO、WO3、TaO、ZrO2、Al2O3、CuO、Fe2O3、Fe3O4、ZnO、MoO2、MgO、SiO2、RuO2、CaO、Na2O、BeO、MgO、Cr2O3、Y3Fe5O12、Tm3Fe5O12、MnPS3、NiPS3、FeI2、FePS3、FePSe3、CoPS3、MnPSe3、CrGeTe3、NiGeTe3、CrSiTe3、Fe3GeTe2和Fe3GaTe2中的一种或多种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连理工大学 一种异质结、磁性异质结和磁性隧道结单元及其应用
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