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申请/专利权人:杭州积海半导体有限公司
摘要:本发明提供一种PMOS器件及其制备方法,PMOS器件包括位于衬底上的栅极结构,位于所述栅极结构两侧衬底中的源极和漏极,所述栅极结构由下至上依次包括界面氧化物层、栅氧绝缘层、功函数层和硅材料层,所述栅氧绝缘层中掺杂有金属离子,以在所述界面氧化物层和栅氧绝缘层形成界面偶极子,可以通过界面偶极子的极性和大小来有效调节功函数,以获得较低的阈值电压。
主权项:1.一种PMOS器件,包括位于衬底上的栅极结构,位于所述栅极结构两侧衬底中的源极和漏极,其特征在于,所述栅极结构由下至上依次包括界面氧化物层、栅氧绝缘层、功函数层和硅材料层,所述栅氧绝缘层中掺杂有金属离子,以在所述界面氧化物层和栅氧绝缘层形成界面偶极子。
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百度查询: 杭州积海半导体有限公司 一种PMOS器件及其制备方法
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