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申请/专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
摘要：本发明公开了一种光电半导体构件1，其包括至少局部辐射透射的框架体20和至少一个第一半导体芯片11，其设置用于发射第一电磁辐射。框架体20具有留空部210。至少一个第一波导体31构造在框架体20中。第一波导体31的第一耦合输入面31A构造在留空部210的朝向第一半导体芯片11的侧面上。耦合输出面20B构造在框架体20的外面上。第一半导体芯片10布置在留空部210中，使得第一电磁辐射的至少一部分入射到第一波导体31中。此外，本发明公开了用于制造多个光电半导体构件1的方法。
主权项：1.一种光电半导体构件1，包括至少局部辐射透射的框架体20和至少一个第一半导体芯片11，所述第一半导体芯片设置用于发射第一电磁辐射，其中，-所述框架体20具有留空部210，-至少一个第一波导体31构造在所述框架体20中，-所述第一波导体31的第一耦合输入面31A构造在所述留空部210的朝向所述第一半导体芯片11的侧面处，-耦合输出面20B构造在所述框架体20的外面上，-所述第一半导体芯片10布置在所述留空部210中，使得所述第一电磁辐射的至少一部分入射到所述第一波导体31中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 光电半导体构件和用于制造多个光电半导体构件的方法
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