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半导体装置 

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申请/专利权人:株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

摘要:实施方式提供提高动作可靠性的半导体装置。根据实施方式,第1晶体管的源极与第1端子连接,其栅极与第1节点连接。第1电路包括第1比较器和电流限制电路。第1比较器包括与第1端子连接的非反相输入端、以及被施加第1电压的反相输入端。电流限制电路的一端与第1比较器的输出端连接,其另一端与第1节点连接。第2电路包括第2比较器、第2及第3晶体管、以及第3电路。第2比较器包括与第1端子连接的非反相输入端、以及被施加第2电压的反相输入端。第2晶体管的源极接地,其漏极与第1节点连接。第3晶体管的源极接地,其漏极与第1比较器的输出端连接。第3电路基于第2比较器的输出,使第2及第3晶体管在第1期间导通。

主权项:1.一种半导体装置,其中,包括:第1晶体管,源极与第1端子连接,栅极与第1节点连接;第1电路;以及第2电路,所述第1电路包括:第1比较器,包括与所述第1端子连接的非反相输入端以及被施加第1电压的反相输入端;以及电流限制电路,一端与所述第1比较器的输出端连接,另一端与所述第1节点连接,所述第2电路包括:第2比较器,包括与所述第1端子连接的非反相输入端以及被施加第2电压的反相输入端;第2晶体管,源极接地,漏极与所述第1节点连接;第3晶体管,源极接地,漏极与所述第1比较器的输出端连接;以及第3电路,基于所述第2比较器的输出,使所述第2晶体管及所述第3晶体管在第1期间导通。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置

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