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申请/专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
摘要：在至少一个实施方式中，光电半导体器件1包括：‑半导体层序列2，其包括垂直于半导体层序列2的生长方向G定向的有源区22，以及‑钝化再生长层3，其至少部分地斜交于有源区22定向，其中，‑钝化再生长层3直接施加在半导体层序列2上并且跨有源区22的横向边界4伸展，并且‑半导体层序列2和钝化再生长层3基于相同的半导体材料体系。例如，光电半导体器件1是微型LED。
主权项：1.一种光电半导体器件1，包括：-半导体层序列2，其包括垂直于所述半导体层序列2的生长方向G定向的有源区22，以及-钝化再生长层3，其至少部分地斜交于所述有源区22定向，其中-所述钝化再生长层3直接施加在所述半导体层序列2上并且跨所述有源区22的横向边界4伸展，-所述半导体层序列2和所述钝化再生长层3基于相同的半导体材料体系，并且-所述半导体层序列2和所述钝化再生长层3的所述半导体材料体系为InGaAlP或AlInGaAsP。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 光电半导体器件和制造方法
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