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半导体装置 

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申请/专利权人:富士电机株式会社

摘要:抑制冷却能力降低。在俯视时,冷却壳体(40)的外侧面(40a、40c)位于长边侧,冷却壳体(40)的外侧面(40b、40d)位于短边侧,在外侧面(40b)的靠外侧面(40c)的附近形成有流入口(40h),该流入口(40h)与流路区域(41)连通,介质朝向流路区域(41)沿长边方向流入。在流路底面(41e)的流入口(40h)的附近形成有流入区域(42),该流入区域(42)呈凹状,比流路底面(41e)更为凹陷,并与流入口(40h)相通,流入区域(42)包括与流入口(40h)相对的扩散面(42d)。

主权项:1.一种半导体装置,其特征在于,包括:半导体芯片;以及冷却装置,其供所述半导体芯片搭载,所述冷却装置具备:顶板,其包括供所述半导体芯片配置的第一上表面以及与所述第一上表面相反的一侧的第一下表面;以及冷却壳体,其在俯视时呈矩形状,并在依次被第一外侧面、第二外侧面、第三外侧面、第四外侧面包围四周的第二上表面形成有流路区域,该流路区域呈凹状,并包括比所述第二上表面更为凹陷的流路底面,在所述第二上表面配置有所述顶板的所述第一下表面,用所述顶板将所述流路区域封盖,在俯视时,所述冷却壳体的所述第一外侧面和所述第三外侧面位于长边侧,所述第二外侧面和所述第四外侧面位于短边侧,所述冷却壳体在所述第二外侧面的靠所述第三外侧面的附近形成有流入口,该流入口与所述流路区域连通,供冷却介质朝向所述流路区域沿长边方向流入,在所述流路底面的所述流入口的附近形成有流入区域,该流入区域呈凹状,比所述流路底面更为凹陷并与所述流入口相通,所述流入区域包括与所述流入口相对的扩散面。

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百度查询: 富士电机株式会社 半导体装置

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