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申请/专利权人：天津中科晶禾电子科技有限责任公司
摘要：本发明公开了一种真空腔室机构，属于半导体晶圆加工技术领域。真空腔室机构包括真空泵；密闭腔室，具有真空腔；吸附机构，设于所述密闭腔室内，所述吸附机构包括至少三个支撑吸管，用于吸附固定产品；控制管路组件，所述真空泵、所述密闭腔室和所述吸附机构均与所述控制管路组件连通，所述控制管路组件用于对所述密闭腔室和所述吸附机构抽真空和破真空。本发明既实现对晶圆背面的真空吸附，又能降低引入的接触污染。
主权项：1.真空腔室机构，其特征在于，包括：真空泵100；密闭腔室200，具有真空腔；吸附机构300，设于所述密闭腔室200内，所述吸附机构300包括至少三个支撑吸管303，用于吸附固定产品；以及控制管路组件400，所述真空泵100、所述密闭腔室200和所述吸附机构300均与所述控制管路组件400连通，所述控制管路组件400用于对所述密闭腔室200和所述吸附机构300抽真空和破真空。
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权利要求：
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