龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海理工大学
摘要：本发明公开了一种IV族直接带隙半导体超晶格材料及其应用。该超晶格材料是在Ge衬底或Si上外延虚拟Ge衬底上生长的GeSnSiSn异质结，所述的GeSnSiSn异质结与Ge晶格匹配形成超晶格结构，所述GeSnSiSn异质结包括多个周期性重复的Si1‑xSnx层和Ge1‑ySny层。本发明通过常规分子束外延生长方法，即可制备出与Ge晶格匹配的IV族直接带隙半导体超晶格材料，基于该超晶格材料制备的相应的激光器具有优异的性能，解决了现有技术中虚拟衬底生长难度大，以及高密度位错降低器件性能的问题。此外，本发明的制备工艺简单，易于控制，适合规模化生产及应用。
主权项：1.一种IV族直接带隙半导体超晶格材料，其特征在于，该超晶格材料是在Ge衬底或Si上外延虚拟Ge衬底上生长的GeSnSiSn异质结，所述的GeSnSiSn异质结与Ge晶格匹配形成超晶格结构，所述GeSnSiSn异质结包括多个周期性重复的Si1-xSnx层和Ge1-ySny层；其中：靠近衬底的一层为Si1-xSnx，周期性重复的最后一层Ge1-ySny上覆盖有一层Si1-xSnx；所述Si1-xSnx层中的Sn元素的原子百分含量为10-30%；所述Ge1-ySny层中的Sn元素的原子百分含量为5-20%；所述Si1-xSnx和Ge1-ySny层中的Sn组分与重复周期之比k需满足下列式I，使得所生长的GeSnSiSn异质结与Ge衬底晶格匹配， 式I；上述式I中的、和分别表示Ge、GeSn和SiSn的晶格常数；所述Si1-xSnx层的厚度为1~8nm，所述Ge1-ySny层的厚度为1~5nm；重复周期为≤100的整数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海理工大学 一种IV族直接带隙半导体超晶格材料及其应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号