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申请/专利权人：常熟理工学院
摘要：本发明公开了一种低蓝光伤害的全光谱白光LED芯片，包括基底、外延结构及荧光粉组合，其外延结构包括：N掺杂的GaN底层、5对InGaN多量子阱层、超晶格电子阻挡层、P掺杂的空穴注入层、P掺杂的GaN盖帽层，所述5对InGaN多量子阱层中每对InGaN多量子阱层包括一个InGaN量子阱层和一个AlGaN障壁层；所述LED芯片表面涂覆有荧光粉组合实现全光谱白光，所述荧光粉组合包括蓝色荧光粉、绿色荧光粉和红色荧光粉，所述荧光粉组合涂覆于LED芯片表面，所述蓝色荧光粉为BaMgAl10O17:Eu2+，所述绿色荧光粉为BaMgAl14O23:Eu2+，所述红色荧光粉为Sr,CaAlSiN3:Eu2+。本发明通过优化LED外延结构和荧光粉组合，实现了对眼睛视网膜的低损伤和高品质的全光谱白光发光效果。
主权项：1.一种低蓝光伤害的全光谱白光LED芯片，其特征在于，包括基底、外延结构及荧光粉组合，其外延结构包括：N掺杂的GaN底层、5对InGaN多量子阱层、超晶格电子阻挡层、P掺杂的空穴注入层、P掺杂的GaN盖帽层，所述5对InGaN多量子阱层中每对InGaN多量子阱层包括一个InGaN量子阱层和一个AlGaN障壁层；所述LED芯片表面涂覆有荧光粉组合实现全光谱白光，所述荧光粉组合包括蓝色荧光粉、绿色荧光粉和红色荧光粉，所述荧光粉组合涂覆于LED芯片表面，所述蓝色荧光粉为BaMgAl10O17:Eu2+，所述绿色荧光粉为BaMgAl14O23:Eu2+，所述红色荧光粉为Sr,CaAlSiN3:Eu2+。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常熟理工学院 低蓝光伤害的全光谱白光LED芯片及其制备方法
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