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申请/专利权人：西北有色金属研究院

摘要：本发明公开了一种采用热阻隔层制备Bi系超导线带材的方法，该方法包括：一、将纳米二氧化钛、树脂、甲基环乙烷催化剂按混合搅拌得到氧化物粉末胶体；二、在Ag合金带材表面制备单面氧化物层；三、在具有单面TiO2氧化物层的Ag合金陶瓷复合体表面制备双面氧化物层；四、与Bi系线带材平行重叠绕制后成相热处理并分离负绕。本发明通过在Ag合金带材的侧面上制备TiO2氧化物涂层作为热阻隔层完全隔开Bi系线带材，避免了热处理过程中Bi系超导线带材之间的粘连，避免了直接涂覆涂层造成的氧化物颗粒残留镶嵌在Bi系超导线带材中造成性能下降现象，解决了Bi系超导线带材表面疏松氧化物热阻隔层带来的清理难题以及芯丝损害难题。

主权项：1.一种采用热阻隔层制备Bi系超导线带材的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、氧化物粉末胶体的制备：将纳米二氧化钛、树脂、甲基环乙烷催化剂按照0.5～2：10～30：0.2～0.5的质量比混合，并采用高速切割搅拌机搅拌1min～5min，得到氧化物粉末胶体；步骤二、Ag合金带材单面氧化物层制备：将Ag合金带材作为基带绕制到支撑体表面，然后在外侧面均匀涂覆步骤一中制备的氧化物粉末胶体，再装入料槽中一起放入热处理炉的恒温区进行热处理，得到具有单面TiO2氧化物层的Ag合金陶瓷复合体；所述支撑体的材质为氧化铝或石英管；步骤三、Ag合金带材双面氧化物层制备：将步骤二中制备具有单面TiO2氧化物层的Ag合金陶瓷复合体从支撑体上取下，将支撑体表面清洗干燥，然后将具有单面TiO2氧化物层的Ag合金陶瓷复合体按照单面TiO2氧化物层在内的规律绕制到清洗干燥后的支撑体表面，再在外侧面均匀涂覆步骤一中制备的氧化物粉末胶体，装入料槽中一起放入热处理炉的恒温区进行热处理，得到具有双面TiO2氧化物层的Ag合金陶瓷复合体；步骤二和步骤三中所述热处理的温度均为880℃～900℃，保温时间均为2h～5h；步骤四、Bi系超导线带材的制备：将Bi系线带材负绕到第一料盘上，将步骤三中得到的具有双面TiO2氧化物层的Ag合金陶瓷复合体从支撑体上取下，并作为热阻隔层负绕到第二料盘上，然后将第一料盘和第二料盘平行安放在旋转支架上，将从第一料盘上引出的Bi系线带材和从第二料盘上引出的具有双面TiO2氧化物层的Ag合金陶瓷复合体沿长度方向平行重叠绕制在第三料盘上，使得热阻隔层完全隔开Bi系线带材，在第三料盘上得到具有热阻隔层的Bi系线带材，将具有热阻隔层的Bi系线带材连同第三料盘取下后进行成相热处理，使得Bi系线带材转化为Bi系超导线带材，再安装回原位，从第三料盘中分别引出具有双面TiO2氧化物层的Ag合金陶瓷复合体和Bi系超导线带材并对应分离负绕到第一料盘和第二料盘，得到双面TiO2氧化物层的Ag合金陶瓷复合体和Bi系超导线带材；所述成相热处理的温度为800℃～900℃，采用的烧结气氛中氧分压占比为7％～100％。

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