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申请/专利权人：西安建筑科技大学
摘要：本发明属于压敏材料技术领域，具体的说是一种提高ZnO压敏电阻中富Bi相含量的方法，该方法具体步骤如下：S1：生坯成型：将ZnO陶瓷粉末压制成型、预烧，得到ZnO压敏陶瓷生坯；S2：闪烧：闪烧炉温达到800～900℃后，通过预设限制电流为75mAmm2，在样品两端分别施加200～800Vcm电场闪烧88～90s后关闭电场，得到ZnO压敏电阻；S3：富Bi相含量测试：EDS面扫描测试样品断面处Bi元素含量，本发明通过提高电场强度使得闪烧制备出的ZnO压敏电阻晶界处富Bi相含量增大，使其相比于传统烧结制备样品烧结时间缩短了近80倍，富Bi相提高了3倍，从而提高了ZnO压敏电阻的非线性系数α。
主权项：1.一种提高ZnO压敏电阻中富Bi相含量的方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：S1、生坯成型：将ZnO陶瓷粉末压制成型、预烧；S2、闪烧：闪烧炉温达到800～900℃后，通过预设限制电流为70～80mAmm2，在样品两端分别施加200～800Vcm电场闪烧90s后关闭电场，得到ZnO压敏电阻；S3、富Bi相含量测试：EDS面扫描测试样品断面处Bi元素含量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安建筑科技大学 一种提高ZnO压敏电阻中富Bi相含量的方法
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