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申请/专利权人：福州大学

摘要：本发明公开了一种基于球型核壳CdSCu2SCdS量子阱发光层的QLED制备方法，其是由硫化镉为核、硫化亚铜为中间层、再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，通过热注入法、一锅法、旋涂镀膜、退火结晶、热蒸镀等工艺，制备出含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件。本发明所得核壳量子阱结构新颖，具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，且所得器件结构稳定高效，具备优异的电致发光效率和外量子效率，在高亮度、长寿命和高分辨率显示技术等领域有巨大的应用潜力。

主权项：1.一种基于球型核壳CdSCu2SCdS量子阱发光层的QLED制备方法，其特征在于：由硫化镉为核、硫化亚铜为中间层、再以硫化镉为壳的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、量子阱发光层的LED器件；其包括以下步骤：（1）CdS核的合成：以氧化镉、油酸、十八烯、硫为前驱体，通过热注入法制备CdS核量子点；（2）CdSCu2S量子点的合成：使用热注入法和连续离子注入法，在得到的含有CdS核量子点的溶液中依次注入铜前驱体溶液和硫前驱体溶液，制得CdSCu2S量子点；（3）CdSCu2SCdS量子阱的合成：在步骤（2）所得溶液中依次逐滴加入镉前驱体溶液和硫前驱体溶液，滴加结束后保温使其缓慢成核，然后降到室温，再使用丙醇沉淀、离心，最后将得到的量子点溶解在甲苯中；（4）将ITO导电玻璃分别用去离子水、丙酮、异丙醇各清洗15-25min，然后在紫外-臭氧中处理15min；（5）在空气环境中将PEDOT:PSS溶液用匀胶机旋涂在步骤（4）处理好的ITO导电玻璃上，然后进行退火；（6）将TFB溶于氯苯，然后将所得TFB溶液用匀胶机旋涂在步骤（5）的导电玻璃片上，再将导电玻璃片进行退火；（7）将CdSCu2SCdS量子阱用甲苯溶解，然后将所得CdSCu2SCdS量子阱溶液用匀胶机旋涂在步骤（6）的导电玻璃片上，然后将导电玻璃片进行退火；（8）将Zn0.9Mg0.1O颗粒用无水乙醇溶解，然后将所得Zn0.9Mg0.1O溶液用匀胶机旋涂在步骤（7）的导电玻璃片上，然后将导电玻璃片进行退火；（9）将步骤（8）得到的导电玻璃片使用热蒸镀机蒸镀电极，获得基于球型核壳CdSCu2SCdS量子阱发光层的QLED。

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