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申请/专利权人：北京空间机电研究所
摘要：本发明涉及一种大满阱电荷量的CMOS像元结构，属于半导体领域；Si：N结构为正方体结构；其中n个竖直层均匀贴附在Si：N结构的前侧壁处；另外n个竖直层对称均匀贴附在Si：N结构的后侧壁处；水平层均匀贴附在Si：N结构的上表面；每个竖直层上对应安装1个竖直MOS结构；水平MOS结构均匀贴附在水平层的上表面；每个水平MOS结构上表面对应安装1个驱动电极；n为不小于2的正整数；本发明可充分利用像元空间区域对光生电荷进行存储，极大地提高了像元对于光生电荷的存储效率，从而实现像元满阱的大幅提升；同时可以提升电极对于电荷传输的控制效率，实现较高的电荷传输效率以及电荷的高速转传输。
主权项：1.一种大满阱电荷量的CMOS像元结构，其特征在于：包括Si：N结构（1）、2组竖直层（2）、1个水平层（3）、2组竖直MOS结构（4）、1组水平MOS结构（5）和1组驱动电极（6）；其中，Si：N结构（1）为正方体结构；其中1组竖直层（2）均匀贴附在Si：N结构（1）的前侧壁处；另外1组竖直层（2）对称均匀贴附在Si：N结构（1）的后侧壁处；水平层（3）均匀贴附在Si：N结构（1）的上表面；每组竖直层（2）上对应安装1组竖直MOS结构（4）；水平MOS结构（5）均匀贴附在水平层（3）的上表面；水平MOS结构（5）上表面对应安装1组驱动电极（6）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京空间机电研究所 一种大满阱电荷量的CMOS像元结构
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