申请/专利权人：微纳动力(北京)科技有限责任公司

申请日：2024-03-18

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN117920372B

主分类号：B01L3/00

分类号：B01L3/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种光电镊芯片及其制造方法，涉及生物芯片技术领域，包括：下基底和上基底，下基底和上基底之间通过隔离墙进行连接，且两两隔离墙之间为流道结构；下基底由衬底和光电器件组成，且光电器件位于衬底上端，通过光刻显影蚀刻工艺对光电器件进行刻蚀形成具有间隔的光敏器件填充区域后，通过对填充区域进行填充形成绝缘层；通过在玻璃基板镀一层ITO膜形成上基底，上基底与隔离墙通过粘结剂进行连接；本发明光电镊芯片中的微流道材料采用金属代替现有的有机高分子，从而增加了入射光效率，减少入射光功率，提高光电镊芯片导热性，提高光电镊芯片可靠性。

主权项：1.一种光电镊芯片的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：在单晶硅上通过外延形成下基底（10）；S2：在下基底（10）内注入PN、NPN、PIN中任意一种形成光电器件（101）；S3：在S2中所形成的下基底（10）基础上通过光刻显影蚀刻工艺，形成分离的光敏器件；S4：通过二氧化硅或者氮化硅对S3中刻蚀出的区域进行填充，构成绝缘层（102）；S5：通过光刻显影蚀刻工艺，在绝缘层（102）形成需要的开窗的图形；S6：在S5绝缘层（102）蚀刻形成的开窗图形基础上通过金属铝进行沉积；S7：在S6的基础上通过光刻显影蚀刻工艺，形成所需要流道结构（12）；S8：在玻璃基板（110）上真空镀上ITO膜（111）形成上基底（11）；S9：将S7中金属表面涂敷上粘结剂并与S8中上基底（11）的上电极部件进行键合，从而形成密闭的光电镊芯片；光电镊芯片包括：下基底（10）和上基底（11），下基底（10）和上基底（11）之间通过隔离墙（13）进行连接，且两两隔离墙（13）之间为流道结构（12）；下基底（10）由衬底（100）和光电器件（101）组成，且光电器件（101）位于衬底（100）上端，通过光刻显影蚀刻工艺对光电器件（101）进行刻蚀形成具有间隔的光敏器件填充区域（1）后，通过对填充区域（1）进行填充形成绝缘层（102）；通过在玻璃基板（110）镀一层ITO膜（111）形成上基底（11），上基底（11）与隔离墙（13）通过粘结剂进行连接；下基底（10）内采用PN注入形成光电器件（101）时，会在衬底（100）上方形成第一光电层（1010）、第二光电层（1011）；下基底（10）内采用PIN注入形成光电器件（101）时，会在衬底（100）上方形成光电层一（1012）、光电层二（1013）、光电层三（1014）；绝缘层（102）采用二氧化硅或氮化硅进行填充后刻蚀。

全文数据：

权利要求：

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