申请/专利权人：苏州博湃半导体技术有限公司

申请日：2023-10-25

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN117255488B

主分类号：H05K3/02

分类号：H05K3/02;H05K3/06;H05K3/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2024.01.19#实质审查的生效;2023.12.19#公开

摘要：本发明公开了一种区分覆铜陶瓷基板正反面铜厚的方法，具体步骤包括：S1.使用除油剂去除金属表面油污和表面异物杂质，用微蚀法去除表面氧化，用硫酸和水对覆铜陶瓷基板表面药水残留进行清洗；S2.通过压膜机在基板正反两面同时覆盖一层感光干膜；S3.选择合适的曝光能量曝光，同时陶瓷基板菲林接触面曝光，另一面不曝光；S4.通过碱性显影液使未曝光的区域的干膜进行去除，基板表面保留需要的干膜，曝光面有干膜覆盖，圆形标记露出；S5.将显影好的基板水平摆放在真空蚀刻线体中进行真空蚀刻；S6.有圆形标记的进行后续图形转移的正面，无圆形标记的作为背面，本发明在铜面上设圆形标记图形，准确区分正反面铜厚。

主权项：1.一种区分覆铜陶瓷基板正反面铜厚的方法，其特征在于，具体步骤包括：S1.使用除油剂去除金属表面油污和表面异物杂质，然后用微蚀法去除表面氧化，增加形成粗糙度，确保新生铜面的活性，增加吸附能力，最后用硫酸和水对覆铜陶瓷基板表面药水残留进行清洗，清洗烘干后检查铜层表面是否清洗干净，避免对后续制程产生影响；S2.通过压膜机在基板正反两面同时覆盖一层感光干膜，为后续图形转移做准备；S3.将做好的一张有圆形标记菲林底片安装到曝光机玻璃台面上，安装治具，将覆铜陶瓷基板放到治具中，并针对干膜的厚度，选择合适的曝光能量曝光，同时陶瓷基板菲林接触面曝光，另一面不曝光；S4.曝光后，基板表面覆盖的干膜会呈现不同的颜色，通过碱性显影液使未曝光的区域的干膜进行去除，最终基板表面会保留需要的干膜，曝光面有干膜覆盖同时圆形标记露出，非曝光面无干膜覆盖；S5.将显影好的基板水平摆放在真空蚀刻线体中进行真空蚀刻，线速根据基板铜层厚度调整到合适的速度，没有干膜保护的铜层会与蚀刻液发生反应，从而得到需要的铜厚，菲林标记面也蚀刻出圆形标记；S6.有圆形标记的作为后续图形转移的正面，无圆形标记的作为背面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州博湃半导体技术有限公司 一种区分覆铜陶瓷基板正反面铜厚的方法

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