申请/专利权人：日亚化学工业株式会社

申请日：2019-02-15

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN110165033B

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38

优先权：["20180216 JP 2018-026347","20181017 JP 2018-195754","20190125 JP 2019-011449"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2021.01.05#实质审查的生效;2019.08.23#公开

摘要：本发明提供可提高可靠性的发光元件。发光元件具备：半导体结构112A，包括具有第一区域R1及第二区域R2的第一半导体层120n、及位于第二区域上方的第二半导体层120p，第一区域包括分别从外周部Pp向第二区域延伸的延伸部Ep；第一绝缘层140，具有位于各延伸部的第一贯通孔141及位于第二区域的第二贯通孔142；第二绝缘层160，具有第三贯通孔163及第四贯通孔164；第一外部电极170An，经由第一贯通孔及第三贯通孔与第一半导体层连接；第二外部电极170Ap，经由第二贯通孔及第四贯通孔与第二半导体层连接，各延伸部配置于第一半导体层的上表面中除了与第一外部电极的角部重叠的位置以外的部位及除了与第二外部电极的角部重叠的位置以外的部位。

主权项：1.一种发光元件，其特征在于，具备：半导体结构，包括具有第一区域及位于所述第一区域的内侧的第二区域的第一导电类型的第一半导体层、位于所述第二区域上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电类型的第二半导体层，所述第一区域包括俯视时位于所述第二区域的外周的外周部和分别从所述外周部向所述第二区域延伸的多个延伸部；光反射性电极，位于所述第二半导体层的上表面上，直接覆盖所述第二半导体层的所述上表面；第一绝缘层，覆盖所述半导体结构及所述光反射性电极，具有位于所述第一区域的各延伸部的第一贯通孔及位于所述第二区域的第二贯通孔；第一内部电极，位于所述第一绝缘层上，经由所述第一贯通孔与所述第一半导体层电连接；第二内部电极，位于所述第一绝缘层上，经由所述第二贯通孔与所述光反射性电极电连接；第二绝缘层，覆盖所述第一内部电极及所述第二内部电极，使所述第一内部电极及所述第二内部电极相互电绝缘，具有位于所述第一内部电极上的第三贯通孔及位于所述第二内部电极上的第四贯通孔；第一外部电极，具有经由所述第三贯通孔与所述第一内部电极电连接的多个角部；第二外部电极，具有经由所述第四贯通孔与所述第二内部电极电连接的多个角部，所述第一半导体层在俯视时具有矩形外形，所述矩形外形包括相互相对的第一长边及第二长边，所述第一外部电极以及所述第二外部电极沿着所述第一半导体层的所述矩形的长边方向配置，所述多个延伸部在比所述第一长边更靠近所述第二长边的位置沿着所述第二长边排列成一列，所述第一区域的所述多个延伸部分别配置于俯视时所述第一半导体层的上表面中除了与所述第一外部电极的所述多个角部重叠的位置以外的部位及除了与所述第二外部电极的所述多个角部重叠的位置以外的部位。

全文数据：发光元件及发光装置技术领域本发明涉及发光元件及发光装置。背景技术已知有一种输出光的发光面为矩形的发光装置。这种发光装置例如包括俯视时具有矩形外形的发光元件，典型地，整体具有长方体形状的外观。具有长方体形状的外观的发光装置例如与导光板组合而用于液晶显示装置的背光单元。下述专利文献1公开了一种III族氮化物半导体发光元件，其具有在矩形蓝宝石基板上层叠有n型半导体层及p型半导体层的结构。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016－143682号公报发明内容本发明提供可提高可靠性的发光元件。本发明实施方式的发光元件具备：半导体结构，包括具有第一区域及位于所述第一区域的内侧的第二区域的第一导电类型的第一半导体层、位于所述第二区域上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电类型的第二半导体层，所述第一区域包括俯视时位于所述第二区域的外周的外周部和分别从所述外周部向所述第二区域延伸的多个延伸部；光反射性电极，覆盖所述第二半导体层的上表面；第一绝缘层，覆盖所述半导体结构及所述光反射性电极，具有位于所述第一区域的各延伸部的第一贯通孔及位于所述第二区域的第二贯通孔；第一内部电极，位于所述第一绝缘层上，经由所述第一贯通孔与所述第一半导体层电连接；第二内部电极，位于所述第一绝缘层上，经由所述第二贯通孔与所述光反射性电极电连接；第二绝缘层，覆盖所述第一内部电极及所述第二内部电极，使所述第一内部电极及所述第二内部电极相互电绝缘，具有位于所述第一内部电极上的第三贯通孔及位于所述第二内部电极上的第四贯通孔；第一外部电极，具有经由所述第三贯通孔与所述第一内部电极电连接的多个角部；第二外部电极，具有经由所述第四贯通孔与所述第二内部电极电连接的多个角部，所述第一区域的所述多个延伸部分别配置于俯视时所述第一半导体层的上表面中除了与所述第一外部电极的所述多个角部重叠的位置以外的部位及除了与所述第二外部电极的所述多个角部重叠的位置以外的部位。根据本发明的实施方式，能够提供可提高可靠性的发光元件。附图说明图1是表示本发明一实施方式的发光装置的外观的一例的立体图。图2是表示图1的I－II截面的示意性剖视图。图3是从下表面侧观察的本发明实施方式的发光元件的示意性透视图。图4是表示图3的IV－IV截面的示意性剖视图。图5是表示图3的V－V截面的示意性剖视图。图6是用于说明p型半导体层120p及n型半导体层120n的配置关系的示意性平面图。图7是表示在光反射性电极130上形成第一绝缘层140的状态的示意性平面图。图8是表示在第一绝缘层140上形成了第一内部电极150n及第二内部电极150p的状态的示意性平面图。图9是表示在第一内部电极150n及第二内部电极150p上进一步形成了第二绝缘层160的状态的示意性平面图。图10是将发光元件100A中的半导体结构112A、第一外部电极170An及第二外部电极170Ap除去后示意性表示的平面图。图11是表示本发明的一实施方式的发光装置的外观的另一例的立体图。图12是表示图11的XII－XII截面的示意性剖视图。图13是将在与外部电极的角部重叠的位置配置有多个延伸部和设置于绝缘层的多个贯通孔的发光元件作为比较例示出的示意性透视图。图14是表示图13的XIV－XIV截面的示意性剖视图。图15是用于说明第一外部电极170An及第二外部电极170Ap的形状与多个延伸部Ep的配置之间的关系的一例的图。图16是表示本发明实施方式的发光元件的另一例的示意性透视图。图17A是将图16所示的发光元件100B中的半导体结构和第一外部电极170Bn及第二外部电极170Bp除去后表示的示意性平面图。图17B是本发明实施方式的发光元件的再一例的示意性透视图。图18是表示与参考例1的样本相关的剪应力绝对值的计算结果的图。图19是表示与参考例2的样本相关的剪应力绝对值的计算结果的图。图20是表示与参考例3的样本相关的剪应力绝对值的计算结果的图。图21是表示与参考例4的样本相关的剪应力绝对值的计算结果的图。符号说明100、100A～100C发光元件110、110A发光结构111第一基板112A、112B半导体结构120a活性层120nn型半导体层120pp型半导体层130光反射性电极140第一绝缘层141第一贯通孔142第二贯通孔150n第一内部电极150nv过孔150p第二内部电极160第二绝缘层163第三贯通孔164第四贯通孔170An～170Cn、570n第一外部电极170Ap～170Cp、570p第二外部电极174导光部件180波长转换部件182透光部件190、190A光反射性部件200支承体210、210A第一配线220、220A第二配线230基座300、300A发光装置500发光元件CA1～CA8外部电极的角部CV1～CV6外部电极的凹部LS1第一长边LS2第二长边R1第一区域R2第二区域Ep、Ep1～Ep4第一区域的延伸部Pp第一区域的外周部SS1第一短边SS2第二短边SS3第三短边SS4第四短边具体实施方式下面，参照附图详细说明本发明的实施方式。以下实施方式只是示例，本发明的发光装置不限于以下实施方式。例如，以下实施方式示出的数值、形状、材料、步骤及步骤顺序等仅为示例，只要在技术上不冲突，可实施各种变形。为了便于理解，附图示出的构件的尺寸、形状等可能存在夸大的情况，可能并未反映真实的发光装置的尺寸、形状及构件间的大小关系。另外，为了防止附图过于复杂，省略了一些构件的图示。在以下说明中，具有实质相同功能的构件用同一参考符号表示，并省略说明。在以下说明中，将会采用表示特定方向或位置的术语例如，“上”、“下”、“右”、“左”及包括这些术语的其它术语。但是，这些术语只是为了便于理解参照附图中的相对方向或位置。即使参照附图中的“上”、“下”等术语表示的相对方向或位置关系相同，在除本发明以外的附图、实际的产品、制造装置等中也可以采用与参照附图不同的配置。在本发明中，关于“平行”，只要没有提别提及，包括两条直线、边、面等在0°～±5°左右的范围内的情况。另外，在本发明中，关于“垂直”或“正交”，只要没有特别提及，包括两条直线、边、面等在90°～±5°左右的范围内的情况。发光元件及发光装置的实施方式图1表示本发明一实施方式的发光装置的外观的一例，图2示意性表示图1的II－II截面。出于参考的目的，图1及图2示出了相互正交的X轴、Y轴及Z轴。在本发明的其它附图中也示出了X轴、Y轴及Z轴。图1及图2所示的发光装置300大致具有：发光元件100，包括透光性第一基板及位于第一基板上的半导体结构；支承体200，作为支承发光元件100的第二基板。在图1所示的结构中，发光元件100被光反射性部件190覆盖。来自发光元件100的光经由配置于发光元件100的前面的透光部件182大致沿图中Z方向射出。如图1及图2所示，支承体200包括绝缘性基座230、位于基座230上的第一配线210及第二配线220。另外，如图2所示，发光元件100大致具有：发光结构110，其局部包括上述第一基板及半导体结构；第一外部电极170An及第二外部电极170Ap，用于向发光结构110提供电流。如图2示意性所示，支承体200的第一配线210及第二配线220设置为从基座230的上表面230a覆盖下表面230b。第一配线210与发光元件100的第一外部电极170An连接，第二配线220与第二外部电极170Ap连接。第一配线210及第二配线220分别经由第一外部电极170An及第二外部电极170Ap与发光元件100的发光结构110电连接及物理连接。发光结构110将稍后详述。在图2所示的结构中，发光装置300在发光元件100的上方具有波长转换部件180及透光部件182。波长转换部件180例如是在有机硅树脂中分散YAG系荧光体等颗粒而成的板状部件，透光部件182例如是主要由有机硅树脂形成的板状部件。在波长转换部件180与发光元件100之间配置有导光部件174。导光部件174例如是由有机硅树脂形成的透光性部件。如图所示，导光部件174的一部分覆盖发光结构110的侧面110c。上述光反射性部件190包围支承体200上的结构，如图2示意性所示，透光部件182的上表面182a从光反射性部件190露出。透光部件182的上表面182a形成发光装置300的上表面300a的一部分。光反射性部件190例如是以包括有机硅树脂的树脂材料为基材，分散光散射性填料而成的部件。下面，参照附图，详细说明发光元件100。图3是从下表面侧观察的本发明实施方式的发光元件的示意性透视图，图4及图5分别示意性表示图3的IV－IV截面及V－V截面。图3～图5所示的发光元件100A是参照图1及图2说明的发光元件100的一例。在图3～图5所示的结构中，在俯视时，发光元件100A具有Y方向长度大于X方向长度的矩形。发光元件100A的X方向长度为例如100μm～300μm左右。另外，发光元件100A的Y方向长度为例如700μm～1400μm左右，优选为900μm～1200μm左右。如图4及图5所示，发光元件100A的发光结构110A包括透光性第一基板111和由第一基板111支承的半导体结构112A。第一基板111的代表例为蓝宝石基板，半导体结构112A通常包括能够在紫外线～可见光区发光的氮化物半导体InxAlyGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1。半导体结构112A包括：n型半导体层120n，具有第一导电类型，作为第一半导体层；p型半导体层120p，具有第二导电类型，作为第二半导体层；活性层120a，位于n型半导体层120n与p型半导体层120p之间。除了包括半导体结构112A，发光元件100A的发光结构110A还包括多个绝缘层和多个电极。如图4及图5所示，发光结构110A包括第一绝缘层140、第二绝缘层160、位于p型半导体层120p与第一绝缘层140之间的光反射性电极130、第一内部电极150n及第二内部电极150p。在半导体结构112A中，n型半导体层120n位于第一基板111上，大致覆盖第一基板111的整个上表面111a。如图3所示，n型半导体层120n具有第一区域R1和位于第一区域R1内侧的第二区域R2。换言之，n型半导体层120n的上表面包括第一区域R1和位于第一区域R1内侧的第二区域R2。活性层120a选择性地形成于n型半导体层120n的第二区域R2上。位于活性层120a上的p型半导体层120p也大致位于第二区域R2的正上方。换言之，n型半导体层120n中位于第一区域R1的部分不被活性层120a及p型半导体层120p覆盖，而是从这些层露出。图6表示p型半导体层120p及n型半导体层120n的配置关系。图6表示将发光结构110A中的n型半导体层120n、活性层120a及p型半导体层120p除去后的图。如上所述，活性层120a及p型半导体层120p覆盖n型半导体层120n中的第二区域R2。活性层120a在图6中并未明确示出，但可以认为其占据与p型半导体层120p大致相同的区域。如图6所示，n型半导体层120n的第一区域R1包括俯视时位于第二区域R2外侧的外周部Pp和多个延伸部Ep。在图6中，为了便于理解，通过阴影表示第一区域R1中相当于延伸部Ep的部分。如图所示，多个延伸部Ep分别是第一区域R1中从外周部Pp向第二区域R2延伸的部分，也可以说，第二区域R2在俯视时具有多个凹部，第一区域R1的与这些凹部对应的位置形成有延伸部Ep。另外，活性层120a及p型半导体层120p也可以在俯视时与第一区域R1的各延伸部Ep对应的位置具有多个凹部。在该例中，n型半导体层120n在俯视时具有包括相互相对的第一长边LS1及第二长边LS2的矩形外形，与第一长边LS1相比，在靠近第二长边LS2的位置设有4个延伸部Ep1～Ep4。此外，在此，第一长边LS1及第二长边LS2与Y方向平行。半导体结构112A可以采用公知的半导体工艺而获得。例如，n型半导体层120n、活性层120a及p型半导体层120p可通过有机金属化学气相沉积法也称为MOCVD、MOVPE、氢化物气相外延法HVPE等在第一基板111的上表面111a上形成氮化物半导体层后，利用光刻法及蚀刻法除去活性层及p型半导体层中位于第一区域R1上的部分而形成。参照图4及图5。光反射性电极130覆盖p型半导体层120p的上表面120pa，与p型半导体层120p电连接。光反射性电极130具有向p型半导体层120p的更宽区域通入电流的功能。另外，通过以覆盖p型半导体层120p的大致整个上表面120pa的方式设置光反射性电极130，能够使图4及图5中朝向发光元件100A的上表面侧换言之，与第一基板111相反的一侧传播的光被光反射性电极130朝向发光元件100A的第一基板111侧反射，提高光的输出效率。作为光反射性电极130，例如可使用Ag或Al、或含有它们中的至少一种的合金膜。光反射性电极130例如可通过溅射法形成金属膜或合金膜后，采用蚀刻法除去不需要的部分而形成。光反射性电极130上设有第一绝缘层140。作为第一绝缘层140的材料示例，可以是含有选自Si、Ti、Zr、Nb、Ta、A1、Hf组成的组中至少一种的氧化物或氮化物。典型地，第一绝缘层140是由SiO2形成的绝缘层，覆盖半导体结构112A及光反射性电极130。此外，还可以在光反射性电极130与第一绝缘层140之间配置SiN层，作为抑制光反射性电极130的材料迁移的阻挡层。图7示意性表示在光反射性电极130上形成有第一绝缘层140的状态。在图7中，阴影部分是设有第一绝缘层140的材料的部分。如图7示意性所示，第一绝缘层140具有：第一贯通孔141，设置于与n型半导体层120n的第一区域R1的延伸部Ep1～Ep4分别对应的位置；第二贯通孔142，设置于n型半导体层120n的第二区域R2的上方。在此，沿着n型半导体层120n的矩形外形的第二长边LS2设有4个第一贯通孔141。通过沿着矩形外形的一个长边该例中为第二长边LS2配置延伸部Ep，能够使亮度不均不明显。在4个第一贯通孔141的位置处，延伸部Ep1～Ep4从第一绝缘层140露出。另外，在第二贯通孔142的位置处，光反射性电极130的表面从第一绝缘层140露出。第一贯通孔141的形状例如可以是Y方向的开口直径大于X方向开口直径的形状。通过设计成这种形状，即使像本实施方式这样n型半导体层120n具有长条状外形，也能够保证n型半导体层120n的上表面中与后述第一内部电极150n连接的部分的面积较大，并且能够抑制因设置第一贯通孔141而引起的活性层120a的面积减少。当然，图7所示的第二贯通孔142的形状及数量只是示例。各个第一贯通孔141的形状也不限于图示形状。如图4所示，第一绝缘层140上设置有第一内部电极150n及第二内部电极150p。作为第一内部电极150n及第二内部电极150p的材料的示例，可以采用Ag或Al、或含有它们中至少一种的合金。特别是，Al及Al合金能够获得高反射率，而且与Ag相比不容易发生迁移，因此优选作为第一内部电极150n及第二内部电极150p的材料。图8示意性表示在第一绝缘层140上形成有第一内部电极150n及第二内部电极150p的状态。第一内部电极150n经由第一贯通孔141在延伸部Ep1～Ep4位置与n型半导体层120n电连接。第二内部电极150p经由第二贯通孔142与光反射性电极130电连接。即，第二内部电极150p与p型半导体层120p电连接。再次参照图4。在第一内部电极150n及第二内部电极150p上设有覆盖这些电极的第二绝缘层160。第二绝缘层160与第一绝缘层140相同，例如由SiO2等无机材料形成，使第一内部电极150n和第二内部电极150p相互电隔绝。图9表示在第一内部电极150n及第二内部电极150p上进一步形成有第二绝缘层160的状态。第二绝缘层160在俯视时与第一内部电极150n重叠的位置具有第三贯通孔163，另外，在与第二内部电极150p重叠的位置具有第四贯通孔164。如图9示意性所示，在第三贯通孔163的位置处，第一内部电极150n的表面从第二绝缘层160露出，在第四贯通孔164的位置处，第二内部电极150p的表面从第二绝缘层160露出。当然，第三贯通孔163及第四贯通孔164的形状及数量不限于图9的示例。例如，如图4所示，上述第一外部电极170An及第二外部电极170Ap位于第二绝缘层160上。从图3及图4可知，第一外部电极170An经由第二绝缘层160的第三贯通孔163与第一内部电极150n电连接。也就是说，第一外部电极170An经由在n型半导体层120n的延伸部Ep1～Ep4的位置处与n型半导体层120n连接的第一内部电极150n与n型半导体层120n电连接。另一方面，第二外部电极170Ap经由第二绝缘层160的第四贯通孔164与第二内部电极150p电连接，从而经由第二内部电极150p及光反射性电极130与p型半导体层120p电连接。图10表示将发光元件100A中的半导体结构112A、第一外部电极170An及第二外部电极170Ap除去的状态。此外，在图10中，通过虚线同时示出了第一绝缘层140的第一贯通孔141的位置。典型地，第一外部电极170An及第二外部电极170Ap的外形在俯视时具有多个角部。如图10所示，在此，第一外部电极170An及第二外部电极170Ap的俯视形状为包括4个角部的矩形。在图10所示的结构中，第一外部电极170An的俯视形状是大致矩形，包括4个角部CA1～CA4。同样地，在该例中，第二外部电极170Ap的俯视形状也是大致矩形，包括4个角部CA5～CA8。作为第一外部电极170An及第二外部电极170Ap的材料的示例，可以是Ti、Pt、Rh、Au、Ni、Ta、Zr等。第一外部电极170An及第二外部电极170Ap可以是单层结构，也可以是多个层层叠而成的层叠结构。第一外部电极170An及第二外部电极170Ap可以是具有例如Ti层、Pt层、Au层依次层叠而成的层叠结构的金属层。如图10示意性所示，在本发明的实施方式中，设置于n型半导体层120n的第一区域R1的多个延伸部Ep的每一个并未配置于俯视时n型半导体层120n的上表面中与第一外部电极170An的多个角部重叠的位置，另外，也未配置于n型半导体层120n的上表面中与第二外部电极170Ap的多个角部重叠的位置。在图10的示例中，沿着n型半导体层120n的矩形外形的第二长边LS2排列的4个延伸部Ep1～Ep4的每一个位于除了与第一外部电极170An的角部CA1～CA4中任一个重叠的位置以外的部位及除了与第二外部电极170Ap的角部CA5～CA8中任一个重叠的位置以外的部位。另外，在此，第一外部电极170An及第二外部电极170Ap在俯视时与第一区域R1的各延伸部Ep对应的位置具有凹部。在图中的示例中，第一外部电极170An的俯视时的外形在与延伸部Ep1对应的位置具有作为第一凹部的凹部CV1，在与延伸部Ep2对应的位置具有作为第二凹部的凹部CV2。同样地，第二外部电极170Ap的俯视时的外形在与延伸部Ep3对应的位置具有作为第三凹部的凹部CV3，在与延伸部Ep4对应的位置具有作为第四凹部的凹部CV4。也就是说，在本例中，第一外部电极170An及第二外部电极170Ap具有在俯视时不会与配置于n型半导体层120n的第一区域R1的多个延伸部Ep重叠的形状。作为第一外部电极170An及第二外部电极170Ap的俯视时的外形，采用在与延伸部Ep对应的位置具有凹部的形状，从而能够降低引起绝缘层或电极剥落的可能性，此类绝缘层或电极的剥落因热应力集中于半导体结构112A中的选择性地除去p型半导体层120p而露出n型半导体层120n的区域附近而引起。发光元件100A将第一外部电极170An及第二外部电极170Ap通过共晶接合分别与第一配线210及第二配线220电连接及物理连接，从而能够被安装于支承体200上。支承体200的基座230例如由BT树脂形成，支承体200上的第一配线210及第二配线220通常为Cu配线。图11表示本发明的一实施方式的发光装置的外观的另一例。图11所示的300A大致具有发光元件100、透光部件182及光反射性部件190A。如图所示，与图1所示的发光装置300的光反射性部件190相同地，光反射性部件190A具有Y方向长度大于X方向长度的大致长方体形状。与参照图1说明的发光装置300相比，图11所示的发光装置300A没有支承发光元件100的支承体200。但是，发光装置300A具有位于上表面300a的相反侧且配置于光反射性部件190A的下表面190b的第一配线210A及第二配线220A的组。图12示意性表示图11的XII－XII截面，换言之，与上述图2对应的截面。如图12所示，第一配线210A与发光元件100的第一外部电极170An连接，第二配线220A与第二外部电极170Ap连接。如本例，将与发光元件的第一外部电极连接的第一配线和与第二外部电极连接的第二配线设置于位于发光装置的上表面300a的相反侧的下表面上。在本发明的实施方式中，支承第一配线及第二配线的基座230并不是必需的。抑制漏电的发生如后面参照实施例说明，经本发明人等研究发现，在用于将发光元件向印刷电路板等支承体电连接及物理连接的外部电极在俯视时具有包括角部的外形的情况下，在通过共晶接合将外部电极焊到印刷电路板等的配线时，热应力容易集中于外部电极的角部位置。在此，如果用于将n型半导体层与位于n型半导体层上方且位于发光结构内部的电极电连接的结构例如设置于绝缘层的贯通孔重叠于俯视时与外部电极的角部重叠的位置，绝缘层可能会因热应力产生裂缝，导致在外部电极与位于发光结构内部的电极之间产生漏电。特别是在采用AuSn作为用于共晶接合的接合部件的材料的情况下，与采用AgSn或CuSn等的情况相比，虽然能够形成牢固的接合，但是AuSn的融点更高，在外部电极产生的热应力容易变大。另外，在发光元件连接的印刷电路板上的配线为由金属中导热率和热膨胀系数较高的Cu形成的配线时，虽然能够保证散热性，但是由于与发光元件的热膨胀系数差，容易在外部电极产生更大的热应力。本发明人等发现通过在避开外部电极的角部的位置设置贯通孔，能够抑制热应力引起的漏电的发生，可提高发光元件的可靠性。下面，参照附图说明这一点。图13将在与外部电极的角部重叠的位置配置有多个延伸部和设置于绝缘层的多个贯通孔的发光元件作为比较例示出。图13所示的发光元件500与图3等所示的发光元件100A之间的主要不同点在于，发光元件500分别具有第一外部电极570n及第二外部电极570p，以代替第一外部电极170An及第二外部电极170Ap。图13与图3相同，是从下表面侧观察的发光元件500的示意性透视图，为了便于理解，第一外部电极570n及第二外部电极570p标注有阴影。如图13所示，在该比较例中，第一外部电极570n的外形为大致矩形，在矩形外形的4个角部中位于纸面左下角的角部具有凹部CV5。该凹部CV5位于俯视时与延伸部Ep2重叠的位置。同样地，第二外部电极570p的外形也为大致矩形，矩形外形的4个角部中位于纸面的右下角的角部具有凹部CV6。凹部CV6位于俯视时与延伸部Ep3重叠的位置。图14示意性表示图13的XIV－XIV截面。此外，图13中IV－IV线位置处的截面可以与图4所示的截面大致相同。因此，在此，省略关于图13中IV－IV截面的图示及IV－IV截面中出现的结构的相关说明。在该比较例中，延伸部Ep2位于设置于第一外部电极570n的凹部CV5的大致正下方，第一绝缘层140的第一贯通孔141也位于凹部CV5的大致正下方。如图14示意性所示，第一内部电极150n的一部分通过填充到第一贯通孔141内，构成将第一内部电极150n与n型半导体层120n电连接的过孔150nv。如图14示意性所示，第一内部电极150n在第一贯通孔141附近覆盖第一绝缘层140的侧部，与n型半导体层120n连接。经过本发明人等研究发现，在n型半导体层120n中未被活性层120a及p型半导体层120p覆盖的区域及其周围集中由共晶接合引起的热应力的情况下，第一绝缘层140的例如台阶部分可能会产生裂缝。若第一绝缘层140产生例如裂缝，由于配置于发光结构内部的电极的材料迁移，可能会导致在P侧电极与n侧电极之间例如，光反射性电极与n侧内部电极产生短路。即可能会发生漏电而使发光元件的可靠性降低。相比之下，在本实施方式中，在与热应力可能会集中的第一外部电极170An的角部CA1～CA4及第二外部电极170Ap的角部CA5～CA8中的任一个均不重叠的位置配置设有第一绝缘层140的第一贯通孔141的延伸部Ep。由此，能够抑制例如光反射性电极130与第一内部电极150n之间的短路所引起的漏电的发生。据推测，这是由于避免了热应力集中在形成与n型半导体层120n之间的电连接的过孔150nv等导电结构及其周围，所以能够避免第一绝缘层140产生裂缝所致。这样，根据本发明的实施方式，能够抑制发光元件内部的漏电发生，能够提高发光元件的可靠性。因在俯视时与多个延伸部Ep重叠的位置以外的部位配置第一外部电极170An及第二外部电极170Ap，或者如图10所示，作为第一外部电极170An及第二外部电极170Ap的外形采用俯视时与多个延伸部Ep不重叠的形状，所以有利于抑制漏电的发生。外部电极的形状与多个延伸部的配置之间的关系下面，进一步详细说明第一外部电极170An及第二外部电极170Ap的形状与多个延伸部Ep的配置之间的关系。图15是用于说明第一外部电极170An及第二外部电极170Ap的形状与多个延伸部Ep的配置之间的关系的一例的图，与图10同样地，将发光元件100A中的半导体结构112A、第一外部电极170An及第二外部电极170Ap除去表示。在图15所示的结构中，第一外部电极170An及第二外部电极170Ap具有大致矩形的外形。第一外部电极170An的外形具有相互相对的第一短边SS1及第二短边SS2的组。同样地，在此，第二外部电极170Ap的外形具有相互相对的第三短边SS3及第四短边SS4的组。此外，在本例中第一外部电极170An的俯视外形及第二外部电极170Ap的俯视外形均为大致矩形，但是第一外部电极170An及第二外部电极170Ap的俯视形状不要求必须一致。在图示的例中，第一短边SS1～第四短边SS4均与n型半导体层120n的矩形外形的第二长边LS2垂直。如图所示，与第二短边SS2相比，第一短边SS1远离第二外部电极170Ap，与第四短边SS4相比，第三短边SS3靠近第一外部电极170An。在此，n型半导体层120n的第一区域R1具有第一～第四的延伸部Ep1～Ep4。如图15示意性所示，假设在俯视时与n型半导体层120n的外形的第二长边LS2垂直且经过第一外部电极170An的矩形外形的中心的假想的第一线L1时，作为第一延伸部的延伸部Ep1位于该假想的第一线L1与上述第一短边SS1之间。作为第二延伸部的延伸部Ep2位于该假想的第一线L1与上述第二短边SS2之间。因此，在本例中，设置于延伸部Ep1上的第一贯通孔141及设置于第一外部电极170An的凹部CV1也位于第一线L1与第一短边SS1间。另外，设置于延伸部Ep2上的第一贯通孔141及设置于第一外部电极170An的凹部CV2也位于第一线L1与第二短边SS2之间。同样地，假设在俯视时与第二长边LS2垂直且经过第二外部电极170Ap的矩形外形的中心的假想的第二线L2时，作为第三延伸部的延伸部Ep3位于该假想的第二线L2与第三短边SS3之间。作为第四延伸部的延伸部Ep4位于假想的第二线L2与第四短边SS4之间。设置于延伸部Ep3上的第一贯通孔141及设置于第二外部电极170Ap的凹部CV3也位于第二线L2与第三短边SS3之间。另外，设置于延伸部Ep4上的第一贯通孔141及设置于第二外部电极170Ap的凹部CV4也位于第二线L2与第四短边SS4之间。在图15所示的结构中，图15中双箭头da1所示的延伸部Ep1与第一线L1之间的距离小于图15中双箭头da2所示的延伸部Ep1与第一短边SS1之间的距离。在此，某一延伸部与某一假想线或某一边之间的距离是指该从延伸部的中心沿着第二长边LS2测量时至假想线或边的距离。像本例这样，将俯视时经过第一外部电极170An的中心的第一线L1作为基准进行比较，通过在远离第一外部电极170An的角部CA2所在的第一短边SS1的位置配置延伸部Ep1，能够降低角部CA2产生的热应力对延伸部Ep1附近的影响。同样地，在本例中，图15中双箭头da3所示的延伸部Ep2与第一线L1之间的距离小于图15中双箭头da4所示的延伸部Ep2与第二短边SS2之间的距离。即，将第一线L1作为基准进行比较，通过使延伸部Ep2位于远离第一外部电极170An的角部CA3所在的第二短边SS2的位置，能够抑制角部CA3产生的热应力引起的漏电发生。在本例中，延伸部Ep3及Ep4也采用了与延伸部Ep1及Ep2相似的配置。即，在假设俯视时与第二长边LS2垂直且经过第二外部电极170Ap的矩形外形的中心的假想的第二线L2时，延伸部Ep3位于该假想的第二线L2与第三短边SS3之间。如图15示意性所示，图15中双箭头db1所示的延伸部Ep3与第二线L2之间的距离小于图15中双箭头db2所示的延伸部Ep3与第三短边SS3之间的距离。将第二线L2作为基准比较时，延伸部Ep3配置于远离第二外部电极170Ap的角部CA6所在的第三短边SS3的位置。另外，图15中双箭头db3所示的延伸部Ep4与第二线L2之间的距离小于图15中双箭头db4所示的延伸部Ep4与第四短边SS4之间的距离。将第二线L2作为基准比较时，延伸部Ep4配置于远离第二外部电极170Ap的角部CA7所在的第四短边SS4的位置。因此，能够抑制角部CA6、CA7产生的热应力引起的延伸部Ep3或Ep4位置处的漏电发生。变形例图16表示本发明实施方式的发光元件的另一例。图16所示的发光元件100B为参照图1及图2说明的发光元件100的另一例。图16与图3同样地，是从下表面侧观察的发光元件100B的示意性透视图。图16中IV－IV线位置处的截面及V－V线位置处的截面可以分别与图4及图5所示的截面相同。因此，在此关于省略图16中IV－IV截面及V－V截面的图示和这些截面中出现的结构的相关说明。与参照图3等说明的发光元件100A相比，图16所示的发光元件100B具有第一外部电极170Bn及第二外部电极170Bp，以代替第一外部电极170An及第二外部电极170Ap。在图16所示的结构中，第一外部电极170Bn具有包括相互相对的第一短边SS1及第二短边SS2的组的大致矩形的外形。同样地，第二外部电极170Bp也具有包括相互相对的第三短边SS3及第四短边SS4的组的大致矩形的外形。第一短边SS1～第四短边SS4均与n型半导体层120n的矩形外形的第二长边LS2垂直。图17A示意性地将图16所示的发光元件100B中的半导体结构、第一外部电极170Bn及第二外部电极17σBp除去表示。图17A所示的半导体结构112B具有：n型半导体层120n，其具有第一区域R1及第二区域R2；活性层120a，其位于n型半导体层120n的第二区域R2上，图17A中并未示出；p型半导体层120p，其位于活性层120a上。与上例相同，n型半导体层120n的第一区域R1包括俯视时位于第二区域R2的外周的外周部Pp、从外周部Pp向第二区域R2延伸的多个延伸部Ep。但是，在此，n型半导体层120n的第一区域R1包括沿着n型半导体层120n的第二长边LS2排列的3个延伸部Ep1～Ep3。图17A中，与图6相同，通过阴影表示第一区域R1中相当于延伸部Ep1～Ep3的部分。在延伸部Ep1～Ep3中，延伸部Ep3在俯视时位于第一外部电极170Bn与第二外部电极170Bp之间。在图16及图17A的示例中，与参照图3～图15说明的示例相比，p型半导体层120p及活性层120a中被除去部分的面积小，因此有利于抑制参与发光的部分的面积减少。在图17A所示的结构中，延伸部Ep1位于与n型半导体层120n的外形的第二长边LS2垂直且经过第一外部电极170Bn的矩形外形的中心的假想的第一线L1上。延伸部Ep2位于与第二长边LS2垂直且经过第二外部电极170Bp的矩形外形的中心的假想的第二线L2上。通过采用这样的配置，可在远离第一外部电极170Bn的角部CA2及CA3的位置配置延伸部Ep1，在远离第二外部电极170Bp的角部CA6及CA7的位置配置延伸部Ep2。此外，在该例中，延伸部Ep3位于与第二长边LS2垂直且经过第二长边LS2的中心的假想的第三线L3上。如图17A示意性所示，在此，第一外部电极170Bn的矩形外形在俯视时与延伸部Ep1对应的位置具有作为第一凹部的凹部CV1，第二外部电极170Bp的矩形外形在俯视时与延伸部Ep2对应的位置具有作为第二凹部的凹部CV2。即，在本例中，第一外部电极170Bn及第二外部电极170Bp具有俯视时与延伸部Ep1～Ep3中任一个均不重叠的形状。与参照图3～图15说明的示例相同，在图16及图17例的示例中，将可以配置用于形成n型半导体层120n与第一内部电极150n之间的电连接的导电结构的延伸部Ep配置于除了与第一外部电极170Bn的角部重叠的位置以外的部位及除了与第二外部电极170Bp的角部重叠的位置以外的部位。因此，能够抑制第一外部电极170Bn及第二外部电极170Bp产生的热应力引起例如光反射性电极130与第一内部电极150n之间的短路。图17B表示本发明实施方式的发光元件的再一例。图17B所示的发光元件100C是参照图1及图2说明的发光元件100的再一例。与图3及图16同样地，图17B是从下表面侧观察发光元件100C的示意性透视图。与参照图16说明的发光元件100B相比，图17B所示的发光元件100C具有第一外部电极170Cn及第二外部电极170Cp，以代替第一外部电极170Bn及第二外部电极170Bp。除外形不同以外，第一外部电极170Cn及第二外部电极170Cp与第一外部电极170Bn及第二外部电极170Bp分别相同。在图17B中，为了便于理解，通过标注阴影来表示第一外部电极170Cn及第二外部电极170Cp的形状。在图17B例示的结构中，沿着n型半导体层120n的矩形形状的长边方向的从光反射性电极130的外缘到外部电极第一外部电极170Cn或第二外部电极170Cp的外缘为止的距离大于沿着n型半导体层120n的矩形形状的短边方向的从光反射性电极130的外缘到外部电极的外缘为止的距离。例如，光反射性电极130的从位于n型半导体层120n的短边侧的外缘到第二外部电极170Cp的外缘为止的距离图17B中用双箭头Lg示意性示出大于光反射性电极130的从位于n型半导体层120n的长边侧的外缘到第二外部电极170Cp的外缘为止的距离图17B中用双箭头Sg示意性示出。同样地，光反射性电极130的从位于n型半导体层120n的短边侧的外缘到第一外部电极170Cn的外缘为止的距离可以大于光反射性电极130的从位于n型半导体层120n的长边侧的外缘到第一外部电极170Cn的外缘为止的距离。俯视时具有矩形外形的发光元件，有时具有端部朝向图中-Z方向的弯曲。如果将具有这种弯曲的发光元件通过共晶接合安装到具有配线的部件例如前述的支承体200，配线和发光元件侧的电极接合的结果，发光元件的端部会被施加朝矫正弯曲的方向的应力。此时，通过共晶接合被接合于配线的发光元件侧的电极面积越大，就得到越大的接合强度，但反过来，发光元件的端部承受的负荷也会增大。根据本发明人的研究，距发光元件的中心越远，该应力越大。因此，因共晶接合引起的应力有可能会在发光元件中的矩形形状的外形尤其是接近短边的位置导致裂缝。在图17B所示的例子中，以光反射性电极130的外缘位置作为基准时，与发光元件的矩形形状的短边方向相比，与发光元件的矩形形状的长边方向有关的到外部电极的外缘为止的距离更大。根据这种结构，能够获得缓和共晶接合引起的发光元件的矩形形状的接近短边的部位所受的应力的效果，因此，能够降低裂缝产生可能性。此外，第一外部电极170Cn可以具有比前述的第一外部电极170Bn更小的面积。同样地，第二外部电极170Cp可以具有比前述的第一外部电极170Bp更小的面积。在图示的例子中，位于n型半导体层120n的短边侧的从光反射性电极130的外缘到外部电极的外缘为止的距离例如是发光元件的长边方向图中Y方向的长度的3％以上7％以下的范围，更优选为4％以上5％以下的范围。图17B中双箭头Lg所示的距离例如可以是40μm～50μm左右。另一方面，位于n型半导体层120n的长边例如第二长边LS2侧的从光反射性电极130的外缘到外部电极的外缘为止的距离例如是发光元件的短边方向图中X方向的长度的10％以上15％以下的范围，更优选为12％以上15％以下的范围。图17B中双箭头Sg所示的距离例如可以是20μm～30μm左右。此外，位于第二长边LS2侧的从光反射性电极130的外缘到外部电极的外缘为止的距离与位于第一长边LS1侧的从光反射性电极130的外缘到外部电极的外缘为止的距离相等。与发光元件的长边方向图中Y方向相比，发光元件的短边方向图中X方向上的弯曲通常较小，因此，即使外部电极的外缘位置接近光反射性电极130的外缘，发光元件也难以发生裂缝。通过在发光元件的短边方向图中X方向上使外部电极的外缘的位置接近光反射性电极130的外缘，能够避免外部电极的面积变得过小，因此，能够抑制接合强度过度下降。此外，n型半导体层120n的延伸部Ep延伸部Ep1、Ep3的位置处的从光反射性电极130的外缘到外部电极的外缘为止的距离图17中用双箭头Mg示意性表示可以小于上述的距离Sg。延伸部Ep的位置处的从光反射性电极130的外缘到外部电极的外缘为止的距离例如可以是10μm～20μm左右。如上所述，接近发光元件的长边的一侧的端部承受的应力倾向于比接近短边的一侧的端部承受的应力小。因此，在发光元件的短边方向图中X方向上，容易使外部电极的外缘接近光反射性电极130的外缘。如本例，从光反射性电极130的外缘到外部电极的外缘为止的距离例如在延伸部Ep的位置处比在其他部分小，由此，能够抑制向发光元件施加的应力导致的发光元件端部的负荷增大，同时能够避免外部电极的面积极端地减小。即，能够避免外部电极的面积减小导致的接合强度的极端降低。实施例下面，通过模拟评价对外部电极施加的剪应力的大小，调查外部电极的俯视形状与热应力容易集中的部位之间的关系。参考例1作为俯视时的外部电极的形状，假设图10等所示的与2个延伸部对应具有2个凹部的第一外部电极170An及第二外部电极170Ap的形状，通过共晶接合将发光元件封装于支承体时，计算回流降温时半导体层表面产生的应力。通过计算得到的值即为XZ面内X方向上的剪应力τYX，在后面的图中，基于τYX的绝对值，通过灰阶表示剪应力的强弱。τYX是应力张量的分量中的一个。此外，以下参考例1～4中，统一了计算条件，在图18～图21中相同值的剪应力用相同灰阶表示。图18表示参考例1的样本的计算结果。图18中，颜色深的部分表示剪应力的绝对值大的区域，相当于具有相对较大热应力的区域。从图18所示的结果可知，外部电极的外形采用例如矩形时，在向支承体200等接合的过程中，角部CA1～CA8的位置特别容易集中应力。另外还可知，连接2个角部的边上的位置处的热应力较小。参考例2作为俯视时的外部电极的形状，假设图17A等所示的与1个延伸部对应而具有1个凹部的第一外部电极170Bn及第二外部电极170Bp的形状，与参考例1的样本相同，计算剪应力τYX的绝对值。图19表示参考例2的样本的计算结果。与图18所示的结果相同，在图19所示的结果中，外部电极的角部CA1～CA8的位置特别容易集中应力。参考例3像参考图13说明的示例一样，假设n型半导体层的延伸部位于与矩形外部电极的角部重叠的位置，与参考例1的样本相同，计算剪应力τYX的绝对值。图20表示参考例3的样本的计算结果。从图20所示的结果可知，与位于外部电极的矩形的边上的延伸部Ep1、Ep4的位置相比，位于与外部电极的角部CA3重叠的位置的延伸部Ep2及其周边、以及位于与外部电极的角部CA6重叠的位置的延伸部Ep3及其周边更可能集中热应力。参考例4假设n型半导体层没有延伸部的半导体结构，与参考例1的样本相同，计算剪应力τYX的绝对值。图21表示参考例4的样本的计算结果。从图21所示的结果可知，与外部电极的矩形的边上的位置相比，与角部重叠的位置更容易集中热应力。由图20及图21所示的结果和图18及图19所示的结果可知，通过在与外部电极的角部重叠的位置以外的部位配置延伸部，能够降低延伸部及其周边的剪应力，能够避免热应力集中在延伸部及其周边，能够抑制延伸部的位置处的绝缘层的裂缝等。根据本发明的实施方式，通过避开容易发生漏电的部位配置延伸部Ep，能够抑制发光结构内部的漏电发生。工业上的可利用性本发明的实施方式可适用于各种照明用光源、车载用光源、显示器用光源等。特别是适用于面向液晶显示装置的背光单元。

权利要求：1.一种发光元件，其特征在于，具备：半导体结构，包括具有第一区域及位于所述第一区域的内侧的第二区域的第一导电类型的第一半导体层、位于所述第二区域上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电类型的第二半导体层，所述第一区域包括俯视时位于所述第二区域的外周的外周部和分别从所述外周部向所述第二区域延伸的多个延伸部；光反射性电极，覆盖所述第二半导体层的上表面；第一绝缘层，覆盖所述半导体结构及所述光反射性电极，具有位于所述第一区域的各延伸部的第一贯通孔及位于所述第二区域的第二贯通孔；第一内部电极，位于所述第一绝缘层上，经由所述第一贯通孔与所述第一半导体层电连接；第二内部电极，位于所述第一绝缘层上，经由所述第二贯通孔与所述光反射性电极电连接；第二绝缘层，覆盖所述第一内部电极及所述第二内部电极，使所述第一内部电极及所述第二内部电极相互电绝缘，具有位于所述第一内部电极上的第三贯通孔及位于所述第二内部电极上的第四贯通孔；第一外部电极，具有经由所述第三贯通孔与所述第一内部电极电连接的多个角部；第二外部电极，具有经由所述第四贯通孔与所述第二内部电极电连接的多个角部，所述第一区域的所述多个延伸部分别配置于俯视时所述第一半导体层的上表面中除了与所述第一外部电极的所述多个角部重叠的位置以外的部位及除了与所述第二外部电极的所述多个角部重叠的位置以外的部位。2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一半导体层在俯视时具有矩形外形，所述矩形外形包括相互相对的第一长边及第二长边，所述多个延伸部在比所述第一长边更靠近所述第二长边的位置沿着所述第二长边排列。3.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述第一外部电极及所述第二外部电极具有在俯视时与所述多个延伸部不重叠的形状。4.如权利要求2或3所述的发光元件，其特征在于，所述第一外部电极的外形是包括相互相对且与所述第二长边垂直的第一短边及第二短边的矩形，所述第二外部电极的外形是包括相互相对且与所述第二长边垂直的第三短边及第四短边的矩形，与所述第二短边相比，所述第一短边远离所述第二外部电极，与所述第四短边相比，所述第三短边靠近所述第一外部电极，所述多个延伸部包括：第一延伸部，位于假想的第一线与所述第一短边之间，所述第一线与所述第二长边垂直且经过所述第一外部电极的所述矩形的中心；第二延伸部，位于所述第一线与所述第二短边之间；第三延伸部，位于假想的第二线与所述第三短边之间，所述第二线与所述第二长边垂直且经过所述第二外部电极的所述矩形的中心；第四延伸部，位于所述第二线与所述第四短边之间。5.如权利要求4所述的发光元件，其特征在于，所述第一延伸部与所述第一线之间的距离小于所述第一延伸部与所述第一短边之间的距离，所述第二延伸部与所述第一线之间的距离小于所述第二延伸部与所述第二短边之间的距离。6.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述第三延伸部与所述第二线之间的距离小于所述第三延伸部与所述第三短边之间的距离，所述第四延伸部与所述第二线之间的距离小于所述第四延伸部与所述第四短边之间的距离。7.如权利要求4～6中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第一外部电极在俯视时与所述第一延伸部及所述第二延伸部对应的位置分别具有第一凹部及第二凹部，所述第二外部电极在俯视时与所述第三延伸部及所述第四延伸部对应的位置分别具有第三凹部及第四凹部。8.如权利要求2或3所述的发光元件，其特征在于，所述第一外部电极的外形是包括相互相对且与所述第二长边垂直的第一短边及第二短边的矩形，所述第二外部电极的外形是包括相互相对且与所述第二长边垂直的第三短边及第四短边的矩形，所述多个延伸部包括：第一延伸部，位于假想的第一线上，所述第一线与所述第二长边垂直且经过所述第一外部电极的所述矩形的中心；第二延伸部，位于假想的第二线上，所述第二线与所述第二长边垂直且经过所述第二外部电极的所述矩形的中心。9.如权利要求8所述的发光元件，其特征在于，所述第一外部电极在俯视时与所述第一延伸部对应的位置具有第一凹部，所述第二外部电极在俯视时与所述第二延伸部对应的位置具有第二凹部。10.如权利要求8或9所述的发光元件，其特征在于，所述多个延伸部包括第三延伸部，所述第三延伸部位于所述第一外部电极与所述第二外部电极之间，并且位于与所述第二长边垂直且经过所述第二长边的中心的假想的第三线上。11.如权利要求2～10中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第一半导体层的所述矩形外形包括位于所述第一长边和所述第二长边之间的第五短边，从所述第一外部电极及所述第二外部电极中一方的所述第五短边侧的外缘到所述光反射性电极的所述第五短边侧的外缘为止的距离大于从所述第一外部电极及所述第二外部电极中一方的所述第二长边侧的外缘到所述光反射性电极的所述第二长边侧的外缘为止的距离。12.如权利要求1～11中任一项所述的发光元件，其特征在于，还具备支承所述半导体结构的透光性的第一基板。13.一种发光装置，其特征在于，包括：如权利要求1～12中任一项所述的发光元件；第二基板，具备经由所述第一外部电极与所述发光元件电连接的第一配线及经由所述第二外部电极与所述发光元件电连接的第二配线。

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