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申请/专利权人：信越半导体株式会社
申请日：2019-02-08
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN111868902B
主分类号：H01L21/66
分类号：H01L21/66;C30B29/06;G01N21/62
优先权：["20180309 JP 2018-042902"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2020.11.17#实质审查的生效;2020.10.30#公开
摘要：本发明提供一种氧浓度评价方法，其通过PL法或CL法评价单晶硅中的氧浓度，该方法中，对单晶硅照射规定照射量的电子束或除碳和氧以外的离子束，于规定温度下测量C线的强度与G线的强度，求出该C线与该G线的强度比Ci‑Oi强度Ci‑Cs强度，将强度比Ci‑Oi强度Ci‑Cs强度及单晶硅中的碳浓度[Cs]代入下列的算式而评价氧浓度[Oi]：[Oi]＝α·Ci‑Oi强度Ci‑Cs强度·[Cs]，其中，α为比例常数。由此提供以高灵敏度评价单晶硅中的氧浓度的方法。
主权项：1.一种氧浓度评价方法，其通过光致发光法或阴极射线发光法评价单晶硅中的氧浓度，该氧浓度评价方法的特征在于，于规定温度下测量对所述单晶硅照射规定照射量的电子束或规定照射量的除碳和氧以外的离子束而形成于所述单晶硅中的间隙碳Ci与间隙氧Oi的复合缺陷Ci-Oi由来的发光线C线的强度及间隙碳Ci与代位碳Cs的复合缺陷Ci-Cs由来的发光线G线的强度，并求出所述C线与所述G线的强度比，即Ci-Oi强度Ci-Cs强度，将所述强度比及所述单晶硅中的碳浓度[Cs]代入下列的算式而评价所述氧浓度[Oi]，[Oi]＝α·Ci-Oi强度Ci-Cs强度·[Cs]，其中，α为比例常数，在评价所述氧浓度时，预先：准备试验晶体，所述试验晶体为氧浓度及碳浓度为已知的单晶硅，于规定温度下测量对所述试验晶体照射所述规定照射量的电子束或所述规定照射量的除碳和氧以外的离子束而形成于所述试验晶体中的C线的强度及G线的强度，并求出所述试验晶体的C线与G线的强度比，根据所述试验晶体的所述氧浓度及所述碳浓度、所述试验晶体的C线与G线的强度比、以及所述算式，求出所述比例常数α的值。
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