申请/专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司

申请日：2024-06-06

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN118299484A

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00;H01L27/15

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种红光高压LED芯片及其制作方法。该LED芯片包括从下至上依次设置的蓝宝石衬底、键合层，以及设置于所述键合层上的芯片组；所述芯片组由若干个规则排布的单元芯粒组成，所述单元芯粒包括外延结构，以及布置在外延结构上的P电极和N电极；相邻单元芯粒之间以及芯片组外围设置有隔离沟槽；两两相邻的单元芯粒之间按照单元芯粒的串联方向采用通孔桥接电极实现电连接；所述隔离沟槽和所述蚀刻台阶内设置有聚酰亚胺填充层，所述聚酰亚胺填充层将所述隔离沟槽和蚀刻台阶填平；所述通孔桥接电极包括依次连接的P侧连接段、桥接段和N侧连接段。上述结构可以有效避免桥接电极的断路，有效提高了芯片结构的稳定性和可靠性。

主权项：1.一种红光高压LED芯片，其特征在于，包括从下至上依次设置的蓝宝石衬底、键合层，以及设置于所述键合层上的芯片组；所述芯片组由若干个规则排布的单元芯粒组成，所述单元芯粒包括外延结构，以及布置在外延结构上的P电极和N电极；相邻单元芯粒之间以及芯片组外围设置有隔离沟槽；两两相邻的单元芯粒之间按照单元芯粒的串联方向采用通孔桥接电极实现电连接；所述外延结构包括从下至上依次堆叠设置的P型窗口层、P型过渡层、P型限制层、MQW发光层、N型限制层、氧化限制层、N型电流扩展层、N型电极保护层和N型欧姆接触层，所述N型欧姆接触层远离所述蓝宝石衬底设置；所述单元芯粒的一侧具有从外延结构上表面蚀刻至P型窗口层上表面的蚀刻台阶，所述蚀刻台阶与所述隔离沟槽互通，所述P电极布置于所述蚀刻台阶的台阶面上，且所述P电极与所述P型窗口层上表面相接触；所述隔离沟槽和所述蚀刻台阶内设置有聚酰亚胺填充层，所述聚酰亚胺填充层将所述隔离沟槽和蚀刻台阶填平；所述通孔桥接电极包括依次连接的P侧连接段、桥接段和N侧连接段，其中，所述P侧连接段末端垂直穿过所述聚酰亚胺填充层与所述P电极连接，所述N侧连接段末端与所述N电极连接，所述桥接段设置于所述聚酰亚胺填充层上方。

全文数据：

权利要求：

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