申请/专利权人:力晶积成电子制造股份有限公司
申请日:2023-01-18
公开(公告)日:2024-07-05
公开(公告)号:CN118301932A
主分类号:H10B12/00
分类号:H10B12/00
优先权:["20230104 TW 112100177"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要:本发明公开一种动态随机存取存储器元件及其制造方法,其中所述动态随机存取存储器元件包括基底、多条字线、多条位线以及多个存储器元件层。多条字线朝第一方向延伸。多条位线朝第二方向延伸,其中第二方向与第一方向正交。多个存储器元件层设置于基底上且在基底的法线方向上堆叠,其中多个存储器元件层中的每一者包括多个存储单元以及电容器电压传输线。多个存储单元包括薄膜晶体管以及电容器,其中多个存储单元中的每一者与相应的字线以及相应的位线电连接。电容器电压传输线与电容器电连接,其中多条字线或多条位线与电容器电压传输线朝相同方向延伸。
主权项:1.一种动态随机存取存储器元件,包括:基底;多条字线,朝第一方向延伸;多条位线,朝第二方向延伸,其中所述第二方向与所述第一方向正交;以及多个存储器元件层,设置于所述基底上且在所述基底的法线方向上堆叠,其中所述多个存储器元件层中的每一者包括:多个存储单元,包括薄膜晶体管以及电容器,其中所述多个存储单元中的每一者与相应的字线以及相应的位线电连接;以及电容器电压传输线,与所述电容器电连接,其中所述多条字线或所述多条位线与所述电容器电压传输线朝相同方向延伸。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 力晶积成电子制造股份有限公司 动态随机存取存储器元件及其制造方法
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