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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日：2023-01-19
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118301931A
主分类号：H10B12/00
分类号：H10B12/00
优先权：["20230104 TW 112100175"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开一种动态随机存取存储器元件及其制造方法，其中所述动态随机存取存储器元件包括基底、多条写入字线、多条读取字线、多条写入位线、多条读取位线以及多个存储器元件层。多条写入字线以及多条读取字线朝第一方向延伸。多条写入位线以及多条读取位线朝第二方向延伸，其中第二方向与第一方向正交。多个存储器元件层设置于基底上且在基底的法线方向上堆叠，其中多个存储器元件层中的每一者包括多个存储单元。多个存储单元包括写入晶体管以及读取晶体管，其中写入晶体管与相应的写入字线以及相应的写入位线电连接，且读取晶体管与相应的读取字线以及相应的读取位线电连接。写入晶体管的源极与所述读取晶体管的栅极电连接以形成存储节点。
主权项：1.一种动态随机存取存储器元件，包括：基底；多条写入字线，朝第一方向延伸；多条写入位线，朝第二方向延伸，其中所述第二方向与所述第一方向正交；多条读取字线，朝所述第一方向延伸；多条读取位线，朝所述第二方向延伸；以及多个存储器元件层，设置于所述基底上且在所述基底的法线方向上堆叠，其中所述多个存储器元件层中的每一者包括多个存储单元，所述多个存储单元包括写入晶体管以及读取晶体管，所述写入晶体管与相应的写入字线以及相应的写入位线电连接，且所述读取晶体管与相应的读取字线以及相应的读取位线电连接，其中所述写入晶体管的源极与所述读取晶体管的栅极电连接以形成存储节点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 动态随机存取存储器元件及其制造方法
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